Tecnologia fotoelétrica Co. de Jinan Crystrong, Ltd

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Ponto inicial de dano alto da luminosidade reduzida do sistema da mostra do laser do ND YVO4 da eficiência da inclinação

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Tecnologia fotoelétrica Co. de Jinan Crystrong, Ltd
Cidade:jinan
Província / Estado:shandong
País / Região:china
Pessoa de contato:MsJennifer
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Ponto inicial de dano alto da luminosidade reduzida do sistema da mostra do laser do ND YVO4 da eficiência da inclinação

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Brand Name :CRYSTRONG
Place of Origin :Jinan,China
MOQ :1-5
Price :Negotiation
Payment Terms :Net 30 days
Supply Ability :Stock
Delivery Time :5-30 days upon order quantity
Packaging Details :vacuum packaging,plastic box,carton
Perpendicularity :≤5′
Clear aperture :90% of full aperture
Parallelism :≤10″
Chips :<0.1mm
TWD :λ/6@633nm
Damage Threshold :1GW/cm² 10ns 10Hz at 1064nm
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O baixo Lasing ponto inicial do Nd YVO4 para o diodo Laser-bombeou lasers em estado sólido

 

Descrição de produtos:

 

Comparado ao Nd: YAG, Nd: YVO4 tem um coeficiente de absorção mais alto e um seção transversal maior da emissão estimulada para a luz da bomba. O laser diodo-bombeou o Nd: O cristal YVO4 é usado em combinação com cristais não-lineares altos do coeficiente tais como o LBO, o BBO, e o KTP para conseguir a melhor eficiência de conversão da frequência, e pode ser usado para output a luz próximo-infravermelha, verde, azul, e ultravioleta.  

O cristal é um cristal do laser com desempenho excelente e é apropriado para o diodo láser que bombeia, especialmente para lasers do meio e da baixa potência. Todos os lasers em estado sólido. Agora Nd: O laser YVO4 foi amplamente utilizado em muitos campos tais como a maquinaria, processamento material, popology, inspeção da bolacha, exposição, inspeção médica, impressão de laser, armazenamento de dados e assim por diante.  

  • Bombeie a largura de banda em torno de 808nm, aproximadamente 5 vezes que do Nd: YAG
  • O seção transversal da emissão estimulada em 1064 nanômetro é 3 vezes que do Nd: YAG
  • Ponto inicial de dano da luminosidade reduzida, eficiência alta da inclinação
  • O único cristal da linha central, saída é polarizado linearmente

 

  

 

ESPECIFICAÇÕES:

 

Nivelamento λ/8 em 633nm
Paralelismo arcsec ≤20
Qualidade de superfície 20-10 risco & escavação (MIL-PRF-13830B)
Perpendicularity arcmin ≤5
Tolerância de ângulo ≤± 0.25°
Tolerância da dimensão ±0.1mm
Tolerância da abertura ±0.1mm
Abertura clara 90% da abertura completa
Chanfradura ≤0.2 mmx45°
Microplaqueta ≤0.1mm
Período de garantia da qualidade Um ano sob o uso apropriado

 

 

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