Tecnologia fotoelétrica Co. de Jinan Crystrong, Ltd

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Largura de banda alta da bomba do ponto inicial 808nm do ND YVO4 baixa Lasing da eficiência da inclinação

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Tecnologia fotoelétrica Co. de Jinan Crystrong, Ltd
Cidade:jinan
Província / Estado:shandong
País / Região:china
Pessoa de contato:MsJennifer
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Largura de banda alta da bomba do ponto inicial 808nm do ND YVO4 baixa Lasing da eficiência da inclinação

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Lugar de origem :Jinan, China
Quantidade de ordem mínima :1-5
Termos do pagamento :Rede 30 dias
Capacidade da fonte :Stock
Tempo de entrega :5-30 dias em cima da quantidade da ordem
Detalhes de empacotamento :empacotamento de vácuo, caixa plástica, caixa
Orientação :A-CUT +/-0.5°
perpendicularity :≤5 ′
Tolerância da abertura :±0.1mm
Tolerância de ângulo :≤± 0.25°
Paralelismo :≤10 ″
Chanfro :<0>
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Do laser do cristal baixo Lasing ponto inicial do Nd YVO4 e eficiência alta da inclinação

 

Descrição de produtos:

 

O birefringence natural do Nd: Os cristais YVO4 causam uma saída altamente polarizada em 1064nm, em 1342nm e em 914nm. Nd: O cristal do laser YVO4 tem as aplicações difundidas de sistemas do laser, incluindo fazer à máquina, processar material, espectroscopia, inspeção da bolacha, exposições da luz, diagnósticos médicos, impressão de laser, etc.

 

CARACTERÍSTICAS:

  • Bombeie a largura de banda em torno de 808nm, aproximadamente 5 vezes que do Nd: YAG
  • Ponto inicial de dano da luminosidade reduzida, eficiência alta da inclinação
  • O único cristal da linha central, saída é polarizado linearmente

 

ESPECIFICAÇÕES:

 

Nivelamento λ/8 em 633nm
Paralelismo arcsec ≤20
Qualidade de superfície 20-10 risco & escavação (MIL-PRF-13830B)
Perpendicularity arcmin ≤5
Tolerância de ângulo ≤± 0.25°
Tolerância da dimensão ±0.1mm
Tolerância da abertura ±0.1mm
Abertura clara 90% da abertura completa
Chanfradura ≤0.2 mmx45°
Microplaqueta ≤0.1mm
Período de garantia da qualidade Um ano sob o uso apropriado

 

 

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