Tecnologia fotoelétrica Co. de Jinan Crystrong, Ltd

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Único cristal do laser da linha central Yvo4, elevado desempenho linearmente polarizado do laser do Nd da saída

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Tecnologia fotoelétrica Co. de Jinan Crystrong, Ltd
Cidade:jinan
Província / Estado:shandong
País / Região:china
Pessoa de contato:MsJennifer
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Único cristal do laser da linha central Yvo4, elevado desempenho linearmente polarizado do laser do Nd da saída

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Brand Name :CRYSTRONG
Place of Origin :Jinan,China
MOQ :1-5
Price :Negotiation
Payment Terms :Net 30 days
Supply Ability :Stock
Delivery Time :5-30 days upon order quantity
Packaging Details :vacuum packaging,plastic box,carton
Crystals :Nd:YVO4
Clear aperture :90% of full aperture
Aperture tolerance :±0.1mm
Orientation :A-CUT +/-0.5°
Parallelism :≤10″
Chips :<0.1mm
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O Nd YVO4 do cristal do laser escolhe o cristal da linha central, saída é polarizado linearmente

 

Descrição de produtos:

 

O cristal é um cristal do laser com desempenho excelente e é apropriado para o diodo láser que bombeia, especialmente para lasers do meio e da baixa potência. Comparado ao Nd: YAG, Nd: YVO4 tem um coeficiente de absorção mais alto e um seção transversal maior da emissão estimulada para a luz da bomba. Agora Nd: O laser YVO4 foi amplamente utilizado em muitos campos tais como a maquinaria, processamento material, popology, inspeção da bolacha, exposição, inspeção médica, impressão de laser, armazenamento de dados e assim por diante. E Nd: Os lasers em estado sólido diodo-bombeados YVO4 rapidamente estão substituindo o mercado para o íon água-de refrigeração tradicional e lasers lâmpada-bombeados, especialmente na miniaturização e escolhem a saída longitudinal do modo.

 

APLICAÇÃO:
 
  • Laser industrial
  • Laser médico
  • Sistema da mostra do laser
  • Usado principalmente para lasers em estado sólido poder médio fim-bombeado do CW e do QCW do baixo e

.

ESPECIFICAÇÕES:

 

Entorpecente 0,1% ~ 3% Orientação A-CUT +/-0.5°
Size&Tolerance *L do *H de W (+/--0,1) (+/--0,1) (+0.5/-0.1) milímetros
Qualidade de superfície 10/5 Perpendicularity ≤5 ′
Paralelismo ≤10 ″ Chanfro <0.2mmx45°
Nivelamento λ/10@633nm Microplaquetas <0.1mm
TWD λ/6@633nm CA ≥95%
Ponto inicial de dano ² 10ns 10Hz de 1GW/cm em 1064nm

 

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