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Técnicas 4mil de ENIG da máscara da solda do preto do PWB da dupla camada do ouro da imersão

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Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:MrSteven YU
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Técnicas 4mil de ENIG da máscara da solda do preto do PWB da dupla camada do ouro da imersão

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Number modelo :PCB00258
Lugar de origem :CHINA
Quantidade de ordem mínima :1 PC/lote
Termos do pagamento :T/T
Capacidade da fonte :100k PCes/mês
Prazo de entrega :10 dias
Detalhes de empacotamento :Empacotamento do saco plástico de bolhas do vácuo
Não das camadas :2 camadas
Material :FR4 TG 130
Espessura de cobre :1/1 de ONÇA
Cor da máscara da solda :Preto
Técnicas de superfície :ENIG
&Width de Min Lind Space :4/4mil
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PWB da dupla camada com ouro preto da imersão da máscara da solda

 

 

  • Características principais:

 

1 2 placa de circuito impresso material da carcaça da camada FR4.

2 ROHS, MSDS, GV, UL, ISO9001&ISO14001 habilitado.

3 o material de FR4 TG150, espessura do PWB é 1.6mm.

Máscara preta da solda 4 e silkscreen branco.

cobre 5 35um em cada camada.

O tamanho do PWB 6 é 250mm*130mm/4pcs.

O tratamento 7 de superfície é o ouro 1u' da imersão.

PWB, cliente personalizados 8 da necessidade para enviar-nos o arquivo do gerber ou o arquivo do PWB.

 

 

  • Folha de dados material de S1150G:

 

S1150G
Artigos Método Circunstância Unidade Valor típico
Tg IPC-TM-650 2.4.25 DSC 155
TD IPC-TM-650 2.4.24.6 peso de 5%. perda 380
CTE (Z-linha central) IPC-TM-650 2.4.24 Antes do Tg ppm/℃ 36
Após o Tg ppm/℃ 220
50-260℃ % 2,8
T260 IPC-TM-650 2.4.24.1 TMA minuto >60
T288 IPC-TM-650 2.4.24.1 TMA minuto 30
Esforço térmico IPC-TM-650 2.4.13.1 288℃, mergulho da solda -- passagem
Resistividade de volume IPC-TM-650 2.5.17.1 Após a resistência de umidade MΩ.cm 6,4 x 107
E-24/125 MΩ.cm 5,3 x 106
Resistividade de superfície IPC-TM-650 2.5.17.1 Após a resistência de umidade 4,8 x 107
E-24/125 2,8 x 106
Resistência de arco IPC-TM-650 2.5.1 D-48/50+D-4/23 s 140
Divisão dielétrica IPC-TM-650 2.5.6 D-48/50+D-4/23 quilovolt 45+kV N.B.
Constante da dissipação (DK) IPC-TM-650 2.5.5.9 1MHz -- 4,8
IEC 61189-2-721 10GHz --
Fator de dissipação (Df) IPC-TM-650 2.5.5.9 1MHz -- 0,01
IEC 61189-2-721 10GHz --
Força de casca (1Oz a folha de cobre) IPC-TM-650 2.4.8 N/mm
Após o esforço térmico 288℃, 10s N/mm 1,4
125℃ N/mm 1,3
Força Flexural LW IPC-TM-650 2.4.4 MPa 600
CW IPC-TM-650 2.4.4 MPa 450
Absorção de água IPC-TM-650 2.6.2.1 E-1/105+D-24/23 % 0,1
CTI IEC60112 Avaliação PLC 0
Inflamabilidade UL94 C-48/23/50 Avaliação V-0
E-24/125 Avaliação V-0

 

 

  • FAQ:

Q1: Que é testes altos do potencial (HiPot)?

A1: O teste alto do potencial (HiPot) é conduzido para verificar se o material dielétrico de uma placa do PWB possa suportar uma tensão mais altamente do que sua tensão avaliado sem dividir. Este é um tipo de ajudas do teste de esforço para medir a força dielétrica da carcaça do PWB que ajuda por sua vez a medir a capacidade da isolação do dispositivo sob o teste (DUT). Igualmente dá uma ideia a quanto tensão o DUT pode suportar durante aplicações da real-vida.

Neste teste, uma alta tensão é fornecida à placa do PWB por alguns segundos para verificar para ver se há a isolação ou a força dielétrica dos componentes montados na placa do PWB. A duração do teste de HoPot pode variar de alguns segundos até a alguns minuetos. O padrão do IEC 60950 diz que o teste deve ser conduzido para 1 minuto. Uma placa é sujeitada ao teste de HiPot somente depois a detecção de falha, a umidade, e testes de vibração de condução.

a C.A. e a C.C. podem ser usadas para realizar o teste de HiPot. Isto pode depender das exigências estabelecidas pela agência de teste reguladora. Contudo é o melhor testar um dispositivo posto da C.A. com uma alta tensão AC e um dispositivo posto da C.C. com uma alta tensão da C.C.

Como calcular a tensão do teste de HiPot?

Não há nenhuma maneira exata de calcular a tensão de HiPot, contudo uma regra empírica geral seria (tensão de entrada nominal de 2 x) + V. 1000. Para um exemplo, se a tensão de entrada de funcionamento é 140 volts então a tensão de HiPot seria (140 x 2) V + 1000 V = 1280 V ou 1,28 quilovolts.

Como é um teste de HiPot executou?

Este teste pode ser executado aplicando uma alta tensão à placa ou ao dispositivo de circuito impresso em que o PWB é usado e de monitoração a corrente resultante do escapamento. A tensão que é aplicada em um teste de HiPot pode ser até 10 vezes mais altamente do que a tensão avaliado do PWB. A tensão é aplicada entre a entrada principal e o chassi (estrutura exterior) do produto.

Técnicas 4mil de ENIG da máscara da solda do preto do PWB da dupla camada do ouro da imersão

Na figura acima, nós consideramos um circuito básico demonstrar a condição do teste de HiPot

Condição da passagem do teste de HiPot:

Se a carcaça do PWB pode resistir a alta tensão sem dividir e igualmente inibe o fluxo da corrente do escapamento então que se pode ver como uma condição da passagem de HiPot.

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A boa isolação não permitirá o fluxo do escapamento adicional atual na superfície do dispositivo.

Condição da falha do teste de HiPot:

Se a divisão ocorre e não há nenhum controle na corrente do escapamento então que se pode considerar como uma condição da falha de HiPot.

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A isolação pobre pode causar o fluxo do escapamento adicional atual na superfície do dispositivo sob o teste.

 

 

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