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Combinador híbrido 698 do RF - isolamento de 3800MHz PIM 160dBc
O combinador híbrido é um circuito subtrator do adicionador de faixa larga usado para rachar e sinais do RF do combinador. Relaciona-se ao híbrido do DB 3 que é baseado em linhas de transmissão e é o mais de uso geral em aplicações da faixa larga do poder superior.
Vantagens do projeto
• Projeto integrado da estrutura.
• Abaixe PIM, uma mais baixa perda de inserção, um isolamento mais alto, e um poder mais alto que entrega a capacidade.
• Hardware de montagem para a montagem da parede e do Polo fornecida.
• Design compacto, a instalação fácil.
• Garantia vitalícia
| Datilografe não. | 95,00031 |
| Bonde | |
| Porto de entrada | 2 |
| Porto de saída | 2 |
| Frequência (megahertz) | 694-3800 |
| Perda de inserção (DB) | ≤3.6 |
| Isolamento (DB) | ≥30 |
| VSWR | ≤1.2 |
| Impedância | 50 Ω |
| Poder de entrada (porto de c.w. /per) | 300 W (avg.) |
| PIM | dBc ≤-150 (3th ordem com 2×20W) |
| Passagem da C.C. |
By-pass@IN1 a OUT1 By-pass@IN2 a OUT2 |
| Ambiental | |
| Variação da temperatura | -30 °C do °C- +70 (se operar) |
| Umidade de funcionamento | 5% - 95% |
| Aplicação | IP65 |
| Mecânico | |
| Conectores | N-fêmea |
| Cores | Cinza, RAL 7035 (pulverizar) |
| Dimensões (com exclusão do conector) | 147±2mm×44±2mm×36±1.5mm |
| Peso | ≤0.6kg |
Descrição do produto
1. Projeto integrado da estrutura: Filtre é moído de uma parte contínua e não tem nenhuma peça soldada, garantindo o desempenho bonde superior.
2. Abaixe PIM, uma mais baixa perda de inserção, um isolamento mais alto, e um poder mais alto que entrega a capacidade.
3. DC/AISG diferenciados 1.1/2.0 passam permitem a compatibilidade completa com exigência de TMAs.
4. A proteção IP67 assegura o desempenho estável em todo o ambiente.
5. Hardware de montagem para a montagem da parede e do Polo fornecida.
6. Design compacto, a instalação fácil.
7. Garantia vitalícia.
Perfil da empresa
Nossa empresa estabelecida em 2014, que é uma empresa da novo-alto-tecnologia que se centram sobre a pesquisa da tecnologia de micro-ondas, o RF, o componente da micro-ondas e o desenvolvimento da indústria de sistema. Nós somos ficados situados em ShenZhen, cobrindo 73000m2 total e possuímos 300 dispositivos de detecção avançados da micro-ondas e o equipamento fazendo à máquina da precisão. A capacidade de produção um ano aqui é em torno de USD2000 milhão.
