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ZXTN25100BFHTA Transistores Bipolares (BJT) NPN 100 V 3 A 160MHz Transistores RF de 1,25 W

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Wisdtech Technology Co.,Limited
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrsTao
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ZXTN25100BFHTA Transistores Bipolares (BJT) NPN 100 V 3 A 160MHz Transistores RF de 1,25 W

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Número do modelo :ZXTN25100BFHTA
Local de origem :Estados Unidos
Quantidade mínima de encomenda :1 PCS
Condições de pagamento :T/T, Western Union
Capacidade de abastecimento :5000
Tempo de entrega :1 dia
Detalhes da embalagem :Reel
Código de data :Código mais recente
Transporte por :DHL/UPS/FEDEX
Condição :Novo*Original
Garantia :365 dias
Sem chumbo :Compatível com a norma Rohs
Prazos de execução :Envio imediato
Pacote :SOT-23-3
Estilo de montagem :SMD/SMT
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ZXTN25100BFHTA Transistores Bipolares (BJT) NPN 100 V 3 A 160MHz Transistores RF de 1,25 W

ZXTN25100BFHTA Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 160MHz 1.25 W Montador de superfície
Diodos incorporados
Categoria do produto: Transistores bipolares - BJT
RoHS: Detalhes
SMD/SMT
SOT-23-3
NPN
Solteiro
100 V
170 V
7 V
200 mV
3 A
1.81 W
160 MHz
- 55 C.
+ 150 C
ZXTN25100
Reel
Faixa de corte
MouseReel
Marca: Diodos incorporados
Altura: 1 mm
Duração: 30,05 mm
Tipo de produto: BJT - Transistores bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Sim
Largura: 1.4 mm
Peso unitário: 0.000282 onças

 

Estatuto do produto
Atividade
Tipo de transistor
Corrente - colector (Ic) (máximo)
3 A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo)
100 V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
250 mV @ 300 mA, 3A
Corrente - limite do colector (máximo)
50nA (ICBO)
Aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 2V
Potência - Máximo
1.25 W
Frequência - Transição
160 MHz
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Montagem de superfície
Embalagem / Caixa
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23-3

 

Características
BVcEo > 100V
BVcEx > 170V Voltagem de bloqueio para a frente
BVEco > 6V Voltagem de bloqueio inversa
Ic = 3A de alta corrente contínua do colector
Voltagem de saturação baixa, VCE(SAT) < 80mV @1A
RCE(SAT) = 67mQ para uma baixa resistência equivalente
1Dissipação de potência de.25 W
hFE Especificado até 3A para retenção de ganho de alta corrente
Tipo de PNP complementar: ZXTP25100BFH
Totalmente livre de chumbo e totalmente compatível com a RoHS (Notas 1 e 2)
Dispositivo livre de halogênio e antimónio.
Cualificado em conformidade com as normas AEC-Q101 para alta reliabilidade

 

Dados mecânicos
Caso: SOT23
Material da caixa: plástico moldado, composto de moldagem "verde";
Classificação UL de inflamabilidade 94V-0
Sensibilidade à humidade: Nível 1 por J-STD-020
Terminais: Finish - Matte Tin Plated Leads, Soldable per
Método 2080@3)
Peso 0,008 gramas (aproximado)


Aplicações
Revezamento de lâmpadas e condutores de solenoides
Mudanças gerais em aplicações automotivas e industriais
● Motor de condução e controle

 

ZXTN25100BFHTA Transistores Bipolares (BJT) NPN 100 V 3 A 160MHz Transistores RF de 1,25 W

  1. Tipo: Transistor de junção bipolar NPN (negativo-positivo-negativo)
  2. Voltagem nominal: 100 V (voltagem máxima colector-emissor)
  3. Corrente nominal: 3 A (corrente máxima do colector)
  4. Frequência: 160 MHz (frequência máxima a que pode operar eficazmente)
  5. Dissipação de potência: 1,25 W (potência máxima que pode ser dissipada pelo transistor)
  6. Tipo de embalagem: embalagem de montagem de superfície (SMT), que é um tipo de embalagem que permite
  • para montagem na superfície de uma placa de circuito impresso (PCB) sem necessidade de solda através de um buraco.

 

 

 

ZXTN25100BFHTA Transistores Bipolares (BJT) NPN 100 V 3 A 160MHz Transistores RF de 1,25 W

ZXTN25100BFHTA Transistores Bipolares (BJT) NPN 100 V 3 A 160MHz Transistores RF de 1,25 W

 

ZXTN25100BFHTA Transistores Bipolares (BJT) NPN 100 V 3 A 160MHz Transistores RF de 1,25 W

 

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