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2SC5200-O(Q) Transistor bipolar (BJT) NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W através do buraco
| Toshiba | |
| Categoria do produto: | Transistores bipolares - BJT |
| RoHS: | Detalhes |
| Através do Buraco | |
| TO-3P-3 | |
| NPN | |
| Solteiro | |
| 230 V | |
| 230 V | |
| 5 V | |
| 400 mV | |
| 15 A | |
| 150 W | |
| 30 MHz | |
| - | |
| + 150 C | |
| 2SC | |
| Caixa | |
| Marca: | Toshiba |
| Corrente contínua do colector: | 15 A |
| Receptor de corrente contínua/Ganho de base hfe Min: | 55 |
| Ganho de corrente contínua hFE Max: | 160 |
| Altura: | 26 mm |
| Duração: | 20.5 mm |
| Tipo de produto: | BJT - Transistores bipolares |
| Subcategoria: | Transistores |
| Tecnologia: | Sim |
| Largura: | 5.2 mm |
| Peso unitário: | 0.239863 onças |
Aplicações de amplificadores de potência
• Alta tensão de ruptura: VCEO = 230 V (min)
• Complementar ao 2SA1943
• Adequado para utilização em amplificadores de áudio de alta fidelidade de 100 W
Especificações