O sistema de deposição de vácuo elevado CsI950 foi concebido exclusivamente para a metalização de CsI e TII em telas de cintilhação num ambiente de vácuo extremamente elevado.Os scintilladores CsI variam de espessura de 200 a 600 μm, com uma elevada uniformidade de espessura e desempenho de brilho:
b. Sistemas de transmissão de imagens de alta resolução espacial;
Resposta rápida para obtenção de imagens mais nítidas;
Áreas de imagem de borda a borda de classe superior;
Capas de absorção óptica ou camadas de reflexo;
Baixa dose de raios-X do paciente.
Substratos aplicados:Vidro TFT, chapa de fibra óptica, chapa de carbono amorfo, chapa de alumínio
Aplicação:para a verificação e inspecção de segurança, educação em física de alta energia, detecção de radiações nucleares e imagens médicas: exame de tórax, mamografia, dentária interoral e panorâmica.
Vantagens técnicas
A Royal Technology fornece 2 modelos de máquina: CsI950 e CsI950A+
O modelo CsI950A+ é atualizado com base na 1a geração CsI950, suas vantagens:
1Eficiência
O modelo CsI-950A+ é com estrutura de rack de 2 rotações baseada no modelo CsI-950 da Geração 1.
- Dupla capacidade para o substrato de tamanho máximo: 500 x 400 mm.
2Repetitividade e Reproducibilidade
- Através de um sistema de controlo de parâmetros de alta precisão,
- Software e programas de controlo automático de processos,
- Operação amigável.
3Confiabilidade
- 24 horas por dia, 7 dias por semana;
-Inficon Film Thickness Controller para monitorizar a espessura da película em linha.
- Precisão do controlo da temperatura: ±1 °C, configuração em várias fases, registo e controlo automáticos dos dados de temperatura
- Equipamento de estacionamento rotativo com servomotor para alta precisão e estabilidade.
4- Segurança
- bomba de vácuo elevado: bomba molecular de suspensão magnética, com dispositivo de sopro de gás nitrogénio para evitar a exposição do material perigoso ao ar;
- Todos os eletrodos estão equipados com mangas de proteção.
Parâmetros técnicos
| Descrição |
CSI-950 |
CSI-950A+
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Câmara de deposição (mm)
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φ950 x H1350 |
φ950 x H1350
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| Aparelhos de carga rotativos |
1 |
2 |
| Fontes de evaporação |
2 |
2
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| Método de aquecimento |
Lâmpada de iodo-volframo
Max. 1800°C
|
Lâmpada de iodo-volframo
Max. 1800°C
|
| Pressão de vácuo final (Pa) |
8.0×10-5Pa |
8.0×10-5Pa |
| Bomba molecular de suspensão magnética |
1 x 3400L/S |
1 x 3400L/S
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| Bomba de raízes |
1 x 490 m3/h |
1 x 490 m3/h
|
| Bomba de válvula rotativa |
1 x 300 m3/h |
1 x 300 m3/h
|
| Controlador de deposição |
Controle de quartzo x 1 |
Controle de quartzo x 1
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| Consumo de energia (KW) |
Max. aproximadamente 62
Médio aprox. 32
|
Max. aproximadamente 65
Médio aprox. 35
|
Insite
Local: China
