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2inch/3inch/4inch S/Fe/Zn lubrificou o fosforeto de índio único Crystal Wafer do InP
O fosforeto de índio (InP) é um material importante do semicondutor composto com as vantagens da velocidade eletrônica alta da tração do limite, da boa resistência de radiação e da boa condutibilidade térmica. Apropriado para a alta frequência, a alta velocidade, dispositivos da micro-ondas do poder superior e circuitos integrados de fabricação. É amplamente utilizada no a iluminação de circuito integrado, a comunicação de micro-ondas, a comunicação da fibra ótica, as células solares, a orientação/navegação, o satélite e os outros campos de aplicações civis e militares.
a lata do zmkj oferece a bolacha do InP – fosforeto de índio que são crescidas por LEC (Czochralski encapsulado líquido) ou por VGF (gelo vertical do inclinação) como a categoria epi-pronta ou mecânica com tipo de n, tipo de p ou semi-isolamento na orientação diferente (111) ou (100).
O fosforeto de índio (InP) é um semicondutor binário composto do índio e do fósforo. Tem (de “blenda zinco ") uma estrutura de cristal cúbica cara-centrada, idêntica àquela do GaAs e à maioria dos semicondutores de III-V. O fosforeto de índio pode ser preparado da reação do iodeto do fósforo branco e do índio [esclarecimento necessário] em 400 °C., [5] igualmente pela combinação direta dos elementos refinados na alta temperatura e na pressão, ou pela decomposição térmica de uma mistura de um composto e de um fosforeto do índio do trialkyl. O InP é usado na eletrônica de alta potência e de alta frequência [citação necessária] devido a sua velocidade superior do elétron no que diz respeito aos semicondutores mais comuns silicone e ao arsenieto de gálio.
Processamento da bolacha do InP | |
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Cada lingote é cortado nas bolachas que são dobradas, lustrado e na superfície preparada para a epitaxia. O processo total é detalhado abaixo. | |
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Especificação e identificação lisas | A orientação é indicada nas bolachas por dois planos (por muito tempo lisos para a orientação, o plano pequeno para a identificação). O padrão de E.J. (entre a Europa e o Japão) é usado geralmente. A configuração lisa alternativa (E.U.) é usada na maior parte para Ø 4" bolachas. |
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Orientação do boule | As bolachas exatas (100) ou misoriented são oferecidas. |
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Precisão da orientação de DE | Em resposta às necessidades da indústria optoelectronic, nós bolachas das ofertas com precisão excelente do da orientação: < 0=""> |
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Perfil da borda | Há duas especs. comuns: borda química que processa ou que processa mecânico da borda (com um moedor da borda). |
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Polonês | As bolachas são lustradas por meio de um processo produto-mecânico tendo por resultado uma superfície plana, dano-livre. nós fornecemos bolachas lustradas e único-lado lustradas do dobro-lado (com verso dobrado e gravado). |
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Preparação de superfície e empacotamento finais | As bolachas atravessam muitas etapas químicas remover o óxido produzido durante o lustro e criar uma superfície limpa com a camada estável e uniforme do óxido que estão pronta para o crescimento epitaxial - superfície epiready e que reduz elementos de traço a extremamente - baixos níveis. Após a inspeção final, as bolachas são empacotadas em uma maneira que mantenha a limpeza de superfície. As instruções específicas para a remoção do óxido estão disponíveis para todos os tipos das tecnologias epitaxial (MOCVD, MBE). |
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Banco de dados | Como parte de nosso programa estatístico da gestão qualidade controle de processos/total, o banco de dados extensivo que grava as propriedades elétricas e mecânicas para cada lingote assim como análise de cristal do qualidade e a de superfície das bolachas está disponível. Em cada fase de fabricação, o produto é inspecionado antes de passar à fase seguinte para manter um nível elevado de consistência da qualidade da bolacha à bolacha e do boule ao boule. |
o pecification do s para 2-4inch
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