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Carcaça de GaSb do antimonieto de gálio, monocristal do único cristal para o semicondutor

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Cidade:shanghai
Província / Estado:shanghai
País / Região:china
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Carcaça de GaSb do antimonieto de gálio, monocristal do único cristal para o semicondutor

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Canal de Vídeo
Número de modelo :GASb
Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :3pcs
Termos do pagamento :T / T, Western Union
Capacidade da fonte :500pcs
Tempo de entrega :2-4 semanas
Detalhes de empacotamento :único pacote da bolacha no quarto desinfetado de 1000 categorias
Materiais :Carcaça de GaSb do antimonieto de gálio
Método do crescimento :VFG
Tamanho :2-4inch
Espessura :300-800um
Aplicação :III-V dirigem o material do semicondutor do bandgap
superfície :ssp/dsp
Pacote :única caixa da bolacha
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monocristal do único cristal da carcaça de GaSb do antimonieto de gálio 2-4inch para o semicondutor

 

O antimonieto de gálio (GaSb) é um material direto muito importante do semicondutor do bandgap de III-V. É um material chave para disposições dos detectores infravermelhos da meio-longo-onda uncooled do superlattice da classe II e do plano focal; os detectores infravermelhos da meio-longo-onda uncooled tem as vantagens da longa vida, do peso leve, da sensibilidade alta e da confiança alta. O produto é amplamente utilizado nos lasers infravermelhos, nos detectores infravermelhos, nos sensores infravermelhos e em pilhas fotovoltaicos térmicas.

 

Os métodos principais do crescimento de materiais do único cristal de GaSb incluem a tecnologia líquido-selada tradicional do reto-desenho (LEC), aquecimento móvel/tecnologia vertical da solidificação do inclinação (VGF) /vertical Bridgman.

Carcaça de GaSb do antimonieto de gálio, monocristal do único cristal para o semicondutor

2-4inch ou personalizado 
                                            especificação
único cristal narcótico tipo

Concentração de portador do íon

cm-3

taxa da mobilidade

(cm2/V.s)
MPD (cm2) TAMANHO
GaSb não Mim (1-2) *1017 600-700 <1>

Φ2 ″ ×0.5mm

Φ3 ″ ×0.5mm

GaSb Zn P (5-100) *1017 200-500

<1>

 

Φ2 ″ ×0.5mm

Φ3 ″ ×0.5mm

GaSb Te N (1-20) *1017 2000-3500 <1>

Φ2 ″ ×0.5mm

Φ3 ″ ×0.5mm

TAMANHO (milímetros) Dia50.8x0.5mm, 10×10×0.5mm, 10×5×0.5mmCan seja personalizado
Ra Aspereza de superfície (Ra):<>  
polimento lado simples ou duplo lustrado
pacote

categoria 100 que limpa a caixa plástica sob o quarto desinfetado de 1000 categorias

Carcaça de GaSb do antimonieto de gálio, monocristal do único cristal para o semicondutor

Carcaça de GaSb do antimonieto de gálio, monocristal do único cristal para o semicondutor

---FAQ –

Q: São você empresa comercial ou o fabricante?

A: o zmkj é uma empresa comercial mas tem um fabricante da safira 
como um fornecedor de bolachas dos materiais do semicondutor para um período largo das aplicações.

Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?

A: Geralmente é 5-10 dias se os bens estão no estoque. ou é 15-20 dias se os bens não são

no estoque, é de acordo com a quantidade.

Q: Você fornece amostras? é livre ou extra?

A: Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas não pagamos o custo do frete.

Q: Que é seus termos de pagamento?

A: Payment=1000USD<>,
50% T/T adiantado, equilíbrio antes da expedição.
Se você tem uma outra pergunta, os pls sentem livres contactar-nos como abaixo:

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