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InP Crystal Dummy Prime Semiconductor Substrate de 3 polegadas

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InP Crystal Dummy Prime Semiconductor Substrate de 3 polegadas

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Number modelo :bolachas do Inp de 2 polegadas
Lugar de origem :CHINA
Quantidade de ordem mínima :3PCS
Payment Terms :T/T, Western Union
Capacidade da fonte :500PCS
Prazo de entrega :2weeks
Detalhes de empacotamento :único pacote do recipiente da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias
Material :Cristal do InP
método do crescimento :vFG
Tamanho :POLEGADA 2inch/3inch/4
Espessura :350-650um
Aplicação :Dispositivo de LED/LD
Superfície :ssp/dsp
PACOTE :único recipiente da bolacha
lubrificado :S/Zn/Fe ou un-lubrificado
TTV :<10um>
Curva :<10um>
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TIPO carcaça S+/lubrificado bolachas Zn+ /Fe das bolachas 3inch 4inch N/P do InP 2inch do semicondutor do InP +

 

 

o crescimento (método alterado de VFG) é usado para puxar um único cristal com partir encapsulant do líquido bórico do óxido de uma semente.

O entorpecente (Fe, S, Sn ou Zn) é adicionado ao cadinho junto com o polycrystal. A alta pressão é aplicada dentro da câmara para impedir a decomposição da empresa do índio Phosphide.he desenvolveu um processo para render a pureza inteiramente stoechiometric, alta e o baixo cristal do inP da densidade de deslocação único.

A técnica de VFG melhora em cima dos agradecimentos do método de LEC a uma tecnologia térmica do defletor em relação a um numérico

modelagem de condições térmicas do crescimento. o tCZ é uma tecnologia madura eficaz na redução de custos com reprodutibilidade de alta qualidade do boule ao boule.

 

 

Características:
1. O cristal é crescido pela tecnologia líquido-selada do reto-desenho (LEC), com tecnologia madura e desempenho elétrico estável.


2, usando o instrumento direcional do raio X para a orientação precisa, o desvio da orientação de cristal são somente ±0.5°


3, a bolacha são lustrados (CMP) pela tecnologia de lustro mecânica química, aspereza de superfície <0>


4, para conseguir “as exigências prontos para uso da caixa aberta”


5, de acordo com exigências de usuário, processamento especial do produto das especificações

 

 

Aplicações:
IIt tem as vantagens da velocidade eletrônica alta da tração do limite, da boa resistência de radiação e da boa condução de calor. Apropriado para dispositivos de alta frequência, de alta velocidade, de alta potência da fabricação da micro-ondas e circuitos integrados.

 

InP Crystal Dummy Prime Semiconductor Substrate de 3 polegadas

 

 

InP Crystal Dummy Prime Semiconductor Substrate de 3 polegadas

InP Crystal Dummy Prime Semiconductor Substrate de 3 polegadasInP Crystal Dummy Prime Semiconductor Substrate de 3 polegadas

2inch S-C-N/S lubrificou BOLACHAS do InP

InP Crystal Dummy Prime Semiconductor Substrate de 3 polegadas

 

2inch S-C-N/Fe+ lubrificou BOLACHAS do InP

 

InP Crystal Dummy Prime Semiconductor Substrate de 3 polegadas

 

InP Crystal Dummy Prime Semiconductor Substrate de 3 polegadas

---FAQ –

Q: São você empresa comercial ou o fabricante?

: o zmkj é uma empresa comercial mas para ter um fabricante da safira
 como um fornecedor de bolachas dos materiais do semicondutor para um período largo das aplicações.

Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?

: Geralmente é 5-10 dias se os bens estão no estoque. ou é 15-20 dias se os bens não são

no estoque, é de acordo com a quantidade.

Q: Você fornece amostras? são livre ou extra?

: Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas não pagamos o custo do frete.

Q: Que é seus termos de pagamento?

: Payment=1000USD<>,
50% T/T adiantado, equilíbrio antes da expedição.
Se você tem uma outra pergunta, os pls sentem livres contactar-nos como abaixo:

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