InP Crystal Dummy Prime Semiconductor Substrate de 3 polegadas

TIPO carcaça S+/lubrificado bolachas Zn+ /Fe das bolachas 3inch 4inch N/P do InP 2inch do semicondutor do InP +

o crescimento (método alterado de VFG) é usado para puxar um único cristal com partir encapsulant do líquido bórico do óxido de uma semente.

O entorpecente (Fe, S, Sn ou Zn) é adicionado ao cadinho junto com o polycrystal. A alta pressão é aplicada dentro da câmara para impedir a decomposição da empresa do índio Phosphide.he desenvolveu um processo para render a pureza inteiramente stoechiometric, alta e o baixo cristal do inP da densidade de deslocação único.

A técnica de VFG melhora em cima dos agradecimentos do método de LEC a uma tecnologia térmica do defletor em relação a um numérico

modelagem de condições térmicas do crescimento. o tCZ é uma tecnologia madura eficaz na redução de custos com reprodutibilidade de alta qualidade do boule ao boule.

Características:
1. O cristal é crescido pela tecnologia líquido-selada do reto-desenho (LEC), com tecnologia madura e desempenho elétrico estável.

2, usando o instrumento direcional do raio X para a orientação precisa, o desvio da orientação de cristal são somente ±0.5°

3, a bolacha são lustrados (CMP) pela tecnologia de lustro mecânica química, aspereza de superfície <0>

4, para conseguir “as exigências prontos para uso da caixa aberta”

5, de acordo com exigências de usuário, processamento especial do produto das especificações

Aplicações:
IIt tem as vantagens da velocidade eletrônica alta da tração do limite, da boa resistência de radiação e da boa condução de calor. Apropriado para dispositivos de alta frequência, de alta velocidade, de alta potência da fabricação da micro-ondas e circuitos integrados.

2inch S-C-N/S lubrificou BOLACHAS do InP

2inch S-C-N/Fe+ lubrificou BOLACHAS do InP