SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
COMÉRCIO FAMOSO CO. DE SHANGHAI, LTD
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a safira de 2inch 4iinch 6Inch baseou o filme de AlN dos moldes de AlN na carcaça da safira
2inch na bolacha da camada do molde de AlN da carcaça da safira para dispositivos de 5G BAW
aracteristic do Ch
A outra especificação do relaterd 4INCH GaN Template
| Carcaças do ₃ do ₂ O do Al de GaN/(4") 4inch | |||
| Artigo | Un-lubrificado | N-tipo |
Alto-lubrificado N-tipo |
| Tamanho (milímetros) | Φ100.0±0.5 (4") | ||
| Estrutura da carcaça | GaN na safira (0001) | ||
| SurfaceFinished | (Padrão: Opção de SSP: DSP) | ||
| Espessura (μm) | 4.5±0.5; 20±2; Personalizado | ||
| Tipo da condução | Un-lubrificado | N-tipo | N-tipo Alto-lubrificado |
| Resistividade (Ω·cm) (300K) | ≤0.5 | ≤0.05 | ≤0.01 |
| GaN Thickness Uniformity |
≤±10% (4") | ||
| Densidade de deslocação (cm2) |
≤5×108 | ||
| Área de superfície útil | >90% | ||
| Pacote | Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100. | ||
| Estrutura de cristal |
Wurtzite |
| Constante da estrutura (Å) | a=3.112, c=4.982 |
| Tipo da faixa de condução | Bandgap direto |
| Densidade (g/cm3) | 3,23 |
| Microhardness de superfície (teste de Knoop) | 800 |
| Ponto de derretimento (℃) | 2750 (barra 10-100 no N2) |
| Condutibilidade térmica (W/m·K) | 320 |
| Energia da diferença de faixa (eV) | 6,28 |
| Mobilidade de elétron (V·s/cm2) | 1100 |
| Campo elétrico da divisão (MV/cm) | 11,7 |