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N-tipo bolacha principal de VGF 2inch 4inch 6inch do GaAs da categoria para o crescimento epitaxial
A bolacha do GaAs (arsenieto de gálio) é uma alternativa vantajosa ao silicone que tem evoluído na indústria do semicondutor. Menos consumo de potência e mais eficiência oferecidos por bolachas deste GaAs estão atraindo os jogadores do mercado para adotar estas bolachas, aumentando desse modo a procura para a bolacha do GaAs. Geralmente, esta bolacha é usada para fabricar semicondutores, diodos luminescentes, termômetros, circuitos eletrônicos, e barômetros, além de encontrar a aplicação na fabricação de ligas de baixa temperatura de fusão. Como o semicondutor e o circuito eletrônico as indústrias continuam a tocar em picos novos, o mercado do GaAs estão crescendo. O arsenieto de gálio da bolacha do GaAs tem o poder de gerar o laser da eletricidade. O cristal especialmente policristalino e único é o tipo dois principal de bolachas do GaAs, que são utilizadas na produção da microeletrônica e de ótica eletrónica para criar o LD, o diodo emissor de luz, e os circuitos da micro-ondas. Consequentemente, a escala extensiva de aplicações do GaAs, particularmente na ótica eletrónica e na indústria da microeletrônica está criando um influxo da procura no mercado da bolacha dos theGaAs. Previamente, os dispositivos optoelectronic foram usados principalmente em uma escala larga em comunicações óticas de curto prazo e em periféricos de computador. Mas agora, estão na procura para algumas aplicações emergentes tais como o lidar, a realidade aumentada, e o reconhecimento de cara. LEC e VGF são dois métodos populares que estão melhorando a produção de bolacha do GaAs com uniformidade alta de propriedades elétricas e da qualidade de superfície excelente. A mobilidade de elétron, a única junção faixa-Gap, uma eficiência mais alta, a resistência do calor e de umidade, e a flexibilidade superior são as cinco vantagens distintas do GaAs, que estão melhorando a aceitação de bolachas do GaAs na indústria do semicondutor.
O que nós fornecemos:
Artigo
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Y/N
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Artigo
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Y/N
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Artigo
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Y/N
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Cristal do GaAs
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sim
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Categoria eletrônica
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sim
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Tipo de N
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sim
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Placa do GaAs
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sim
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Categoria infravermelha
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sim
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Tipo de P
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sim
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Carcaça do GaAs
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sim
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Categoria da pilha
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sim
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Undoped
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sim
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Bolacha do epi do GaAs
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sim
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GaAs (arsenieto de gálio) para aplicações do diodo emissor de luz | ||
Artigo | Especificações | Observações |
Tipo da condução | SC/n-type | |
Método do crescimento | VGF | |
Entorpecente | Silicone | |
Bolacha Diamter | 2, 3 & 4 polegadas | Lingote ou como-corte disponível |
Crystal Orientation | (100) 2°/6°/15° fora de (110) | O outro misorientation disponível |
DE | EJ ou E.U. | |
Concentração de portador | (0.4~2.5) E18/cm3 | |
Resistividade no RT | (1.5~9) E-3 Ohm.cm | |
Mobilidade | 1500~3000 cm2/V.sec | |
Gravura em àgua forte Pit Density | <500> | |
Marcação do laser | mediante solicitação | |
Revestimento de superfície | P/E ou P/P | |
Espessura | 220~350um | |
Epitaxia pronta | Sim | |
Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha |
GaAs (arsenieto de gálio), Semi-isolando para aplicações da microeletrônica
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Artigo
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Especificações
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Observações
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Tipo da condução
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Isolamento
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Método do crescimento
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VGF
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Entorpecente
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Undoped
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Bolacha Diamter
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2, 3, 4 & 6 polegadas
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Lingote disponível
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Crystal Orientation
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(100) +/- 0.5°
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DE
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EJ, E.U. ou entalhe
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Concentração de portador
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n/a
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Resistividade no RT
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>1E7 Ohm.cm
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Mobilidade
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>5000 cm2/V.sec
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Gravura em àgua forte Pit Density
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<8000>
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Marcação do laser
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mediante solicitação
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Revestimento de superfície
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P/P
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Espessura
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350~675um
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Epitaxia pronta
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Sim
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Pacote
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Única recipiente ou gaveta da bolacha
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Não. | Artigo | Especificação padrão | |||||
1 | Tamanho | 2" | 3" | 4" | 6" | ||
2 | Diâmetro | milímetro | 50.8±0.2 | 76.2±0.2 | 100±0.2 | 150±0.5 | |
3 | Método do crescimento | VGF | |||||
4 | Lubrificado | Un-lubrificado, ou Si-lubrificado, ou Zn-lubrificado | |||||
5 | Maestro Type | N/A, ou SC/N, ou SC/P | |||||
6 | Espessura | μm | (220-350) ±20 ou (350-675) ±25 | ||||
7 | Crystal Orientation | <100>±0.5 ou 2 fora | |||||
Opção da orientação de OF/IF | EJ, E.U. ou entalhe | ||||||
Plano da orientação (DE) | milímetro | 16±1 | 22±1 | 32±1 | - | ||
Plano da identificação (SE) | milímetro | 8±1 | 11±1 | 18±1 | - | ||
8 | Resistividade | (Não para Mecânico Categoria) |
Ω.cm | (1-30) ‘107, ou (0.8-9) ‘10-3, ou 1' 10-2-10-3 | |||
Mobilidade | cm2/v.s | ≥ 5.000, ou 1,500-3,000 | |||||
Concentração de portador | cm-3 | (0.3-1.0) x1018, ou (0.4-4.0) x1018, ou como SEMI |
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9 | TTV | μm | ≤10 | ||||
Curva | μm | ≤10 | |||||
Urdidura | μm | ≤10 | |||||
EPD | cm-2 | ≤ 8.000 ou ≤ 5.000 | |||||
Parte dianteira/superfície traseira | P/E, P/P | ||||||
Perfil da borda | Como SEMI | ||||||
Contagem de partícula | <50>0,3 μm, contagens/bolachas), ou COMO SEMI |
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10 | Laser Mark | Verso ou mediante solicitação | |||||
11 | Empacotamento | Única recipiente ou gaveta da bolacha |
Detalhe do pacote: