SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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Nosso 2' ‘a 6" ‘cristal decondução & deisolamento & bolacha do GaAs são usados descontroladamente na aplicação da aplicação do circuito integrado do semicondutor & da iluminação geral do diodo emissor de luz.
| Característica | Campo da aplicação |
|---|---|
| Mobilidade de elétron alta | Diodos luminescentes |
| Alta frequência | Diodos láser |
| Eficiência de conversão alta | Dispositivos fotovoltaicos |
| Consumo da baixa potência | Transistor de mobilidade de elétron alto |
| Diferença de faixa direta | Transistor bipolar da heterojunção |
Especificações de semi-conduzir a bolacha do GaAs
Método do crescimento | VGF | |||
Entorpecente | p-tipo: Zn | n-tipo: Si | ||
Forma da bolacha | Círculo (diâmetro: 2", 3", 4", 6") | |||
Orientação de superfície * | (100) ±0.5° | |||
* outras orientações talvez disponíveis mediante solicitação | ||||
Entorpecente | Si (n-tipo) | Zn (p-tipo) | ||
Concentração de portador (cm-3) | (0.8-4) × 1018 | (0.5-5) × 1019 | ||
Mobilidade (cm2/V.S.) | × 103 (de 1-2.5) | 50-120 | ||
Densidade do passo gravura em àgua forte (cm2) | 100-5000 | 3,000-5,000 | ||
Diâmetro da bolacha (milímetros) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | |
Espessura (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | |
TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
URDIDURA (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
DE (milímetros) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | |
DE/SE (milímetros) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | |
Polish* | E/E, | E/E, | E/E, | |
Especificações de semi-isolar a bolacha do GaAs
Método do crescimento | VGF | |||
Entorpecente | Tipo do SI: Carbono | |||
Forma da bolacha | Círculo (diâmetro: 2", 3", 4", 6") | |||
Orientação de superfície * | (100) ±0.5° | |||
* outras orientações talvez disponíveis mediante solicitação | ||||
Resistividade (Ω.cm) | × 107 do ≥ 1 | × 108 do ≥ 1 | ||
Mobilidade (cm2/V.S) | ≥ 5.000 | ≥ 4.000 | ||
Densidade do passo gravura em àgua forte (cm2) | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 | ||
Diâmetro da bolacha (milímetros) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | 150±0.3 |
Espessura (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
URDIDURA (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 15 |
DE (milímetros) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | ENTALHE |
DE/SE (milímetros) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | N/A |
Polish* | E/E, | E/E, | E/E, | E/E, |
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Nós podemos fornecer o relatório de detalhe para nossos produtos.
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nós tomaremos um processo de empacotamento diferente!