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o TIPO carcaça S+/lubrificado bolachas Zn+ /Fe + fosforeto das bolachas 3inch 4inch N/P do InP 2inch do semicondutor do InP de índio baseou carcaça do InP Crystal Wafer Dummy Prime Semiconductor da polegada 350-650 da bolacha 2 inch/3 inch/4 do InP de Crystal Indium Phosphide Wafers da bolacha Epitaxial a única um
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tamanho (milímetros)
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Dia50.8x0.5mm, 10×10×0.5mm, 10×5×0.5mm pode ser personalizado
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Ra
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Aspereza de superfície (Ra):<>
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Polonês
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Único ou dobros tome partido lustrado
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Pacote
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100 únicos ou os dobros tomam partido lustrado
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Tem as vantagens da velocidade eletrônica alta da tração do limite, da boa resistência de radiação, e da boa condução de calor. Apropriado para
dispositivos de alta frequência, de alta velocidade, de alta potência da fabricação da micro-ondas e circuitos integrados.
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Diâmetro da bolacha (milímetros)
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50.8±0.3
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76.2±0.3
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100±0.3
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Espessura (um)
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350±25
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625±25
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625±25
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TTV-P/P (um)
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≤10
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≤10
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≤10
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TTv-P/E (um)
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≤10
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≤15
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≤15
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ENTORTE (um)
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≤15
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≤15
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≤15
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DE (milímetros)
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17±1
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22±1
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32.5±1
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OF/IF (milímetro)
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7±1
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12±1
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18±11
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| Descrição | Aplicação | Escala de comprimento de onda |
| O InP baseou a Epi-bolacha | Laser do FP | ~1310nm; ~1550nm; ~1900nm |
| Laser de DFB | 1270nm~1630nm | |
| Fotodetector da avalancha | 1250nm~1600nm | |
| Fotodetector | 1250nm~1600nm/>2.0um (camada absorvente de InGaAs);<1> |
| Nome do produto |
| Folha policristalina da carcaça do fosforeto de índio da pureza alta |
| Cristal lubrificado ferro do fosforeto de índio |
| N-tipo e P-tipo cristal do fosforeto de índio |
| Fosforeto de índio único Crystal Ingot de 4 polegadas |
| O fosforeto de índio baseou a bolacha Epitaxial |
| Semicondutor Crystal Substrate do fosforeto de índio |
| Fosforeto de índio único Crystal Substrate |
| Antimonite único Crystal Substrate do índio |
| Arsênico único Crystal Substrate do índio |


---FAQ –
: Geralmente é 5-10 dias se os bens estão no estoque. ou é 15-20 dias se os bens não são
no estoque, é de acordo com a quantidade.