o TIPO carcaça S+/lubrificado bolachas Zn+ /Fe + fosforeto das bolachas 3inch 4inch N/P do InP 2inch do semicondutor do InP de índio baseou carcaça do InP Crystal Wafer Dummy Prime Semiconductor da polegada 350-650 da bolacha 2 inch/3 inch/4 do InP de Crystal Indium Phosphide Wafers da bolacha Epitaxial a única um

Co. novos Ltd. dos materiais de Shanghai Xinkehui

Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico custiomized amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossos bons reputatiaons.

tamanho (milímetros)	Dia50.8x0.5mm, 10×10×0.5mm, 10×5×0.5mm pode ser personalizado
Ra	Aspereza de superfície (Ra):<>
Polonês	Único ou dobros tome partido lustrado
Pacote	100 únicos ou os dobros tomam partido lustrado

Tem as vantagens da velocidade eletrônica alta da tração do limite, da boa resistência de radiação, e da boa condução de calor. Apropriado para
dispositivos de alta frequência, de alta velocidade, de alta potência da fabricação da micro-ondas e circuitos integrados.

Características da bolacha do Inp

1. O cristal é crescido pela tecnologia líquido-selada do reto-desenho (LEC), com tecnologia madura e o elétrico estável
desempenho.
2. o instrumento direcional de utilização do raio X para a orientação precisa, o desvio da orientação de cristal é somente ±0.5°
3. a bolacha é lustrada pela tecnologia (CMP) de lustro mecânica química, com aspereza de superfície <0> 4. para conseguir “as exigências prontos para uso da caixa aberta”
5. de acordo com exigências de usuário, processamento especial do produto das especificações

Diâmetro da bolacha (milímetros)	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.3
Espessura (um)	350±25	625±25	625±25
TTV-P/P (um)	≤10	≤10	≤10
TTv-P/E (um)	≤10	≤15	≤15
ENTORTE (um)	≤15	≤15	≤15
DE (milímetros)	17±1	22±1	32.5±1
OF/IF (milímetro)	7±1	12±1	18±11

Descrição	Aplicação	Escala de comprimento de onda
O InP baseou a Epi-bolacha	Laser do FP	~1310nm; ~1550nm; ~1900nm
	Laser de DFB	1270nm~1630nm
	Fotodetector da avalancha	1250nm~1600nm
	Fotodetector	1250nm~1600nm/>2.0um (camada absorvente de InGaAs);<1>

Nome do produto

Folha policristalina da carcaça do fosforeto de índio da pureza alta

Cristal lubrificado ferro do fosforeto de índio

N-tipo e P-tipo cristal do fosforeto de índio

Fosforeto de índio único Crystal Ingot de 4 polegadas

O fosforeto de índio baseou a bolacha Epitaxial

Semicondutor Crystal Substrate do fosforeto de índio

Fosforeto de índio único Crystal Substrate

Antimonite único Crystal Substrate do índio

Arsênico único Crystal Substrate do índio

---FAQ –

Q: São você uma empresa comercial ou o fabricante?

: o zmkj é uma empresa comercial mas tem um fabricante da safira
como um fornecedor de bolachas dos materiais do semicondutor para um período largo das aplicações.

Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?

: Geralmente é 5-10 dias se os bens estão no estoque. ou é 15-20 dias se os bens não são

no estoque, é de acordo com a quantidade.

Q: Você fornece amostras? são livre ou extra?

: Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas não pagamos o custo do frete.

Q: Que são seus termos de pagamento?

: Payment=1000USD<>,
50% T/T adiantado, equilíbrio antes da expedição.

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