O arsenieto de gálio pode ser feito em materiais deisolamento da alto-resistência com resistividade mais de 3 ordens de grandeza mais altos do que o silicone e o germânio, que são usados para fazer carcaças do circuito integrado, os detectores infravermelhos, os detectores do fotão da gama, etc. Porque sua mobilidade de elétron é 5 a 6 vezes maior do que aquela do silicone, tem aplicações importantes na fabricação de dispositivos da micro-ondas e de circuitos digitais de alta velocidade. O arsenieto de gálio feito do arsenieto de gálio pode ser feito em materiais deisolamento da alto-resistência com resistividade de mais de 3 ordens de grandeza mais altamente do que o silicone e o germânio, que são usados para fazer carcaças do circuito integrado e os detectores infravermelhos.

1. Aplicação do arsenieto de gálio na ótica eletrónica

2. Aplicação do arsenieto de gálio na microeletrônica

3. Aplicação do arsenieto de gálio em uma comunicação

4. Aplicação do arsenieto de gálio na micro-ondas

5. Aplicação do arsenieto de gálio nas células solares

Especificação das bolachas do GaAs

Tipo/entorpecente	Semi-isolado	P-Type/Zn	N-Type/Si	N-Type/Si
Aplicação	Micro Eletronic	Diodo emissor de luz		Diodo láser
Método do crescimento	VGF
Diâmetro	2", 3", 4", 6"
Orientação	(100) ±0.5°
Espessura (µm)	350-625um±25um
OF/IF	E.U. EJ ou entalhe
Concentração de portador	-	(0.5-5) *1019	(0.4-4) *1018	(0.4-0.25) *1018
Resistividade (ohm-cm)	>107	(1.2-9.9) *10-3	(1.2-9.9) *10-3	(1.2-9.9) *10-3
Mobilidade (cm2/V.S.)	>4000	50-120	>1000	>1500
Densidade do passo gravura em àgua forte (/cm2)	<5000>	<5000>	<5000>	<500>
TTV [P/P] (µm)	<5>
TTV [P/E] (µm)	<10>
Urdidura (µm)	<10>
De superfície terminado	P/P, P/E, E/E

Nota: Outras especificações podem estar disponíveis mediante solicitação

O arsenieto de gálio é o material o mais importante e o mais amplamente utilizado do semicondutor em semicondutores compostos, e é igualmente o material o mais maduro e o maior do semicondutor composto na produção presentemente.

Os dispositivos do arsenieto de gálio que foram usados são:

Diodo da micro-ondas, diodo de Gunn, diodo de varactor, etc.
Transistor da micro-ondas: transistor de efeito de campo (FET), transistor de mobilidade de elétron alto (HEMT), transistor bipolar da heterojunção (HBT), etc.
Circuito integrado: circuito integrado monolítico da micro-ondas (MMIC), circuito integrado ultra-alto da velocidade (VHSIC), etc.
Componentes de Salão, etc.

Diodo luminescente infravermelho (diodo emissor de luz do IR); Diodo luminescente visível (diodo emissor de luz, usado como a carcaça);
Diodo láser (LD);
Detector claro;
Célula solar de grande eficacia;

Etiquetas de Produtos:

Polegada 4Inch N de VGF 2/tipo carcaça de P do semicondutor da bolacha do GaAs para o crescimento Epitaxial

carcaça da safira

Gem Stone sintético

Safira Windows ótico

Bolacha do carboneto de silicone

Sapphire Tube

Bolacha do nitreto do gálio

Carcaça do semicondutor

equipamento de laboratório científico

Caixa de relógio do cristal de safira

Caixa do portador da bolacha

Carcaça Monocrystalline fina Superconducting

Partes de cerâmica

Polegada 4Inch N de VGF 2/tipo carcaça de P do semicondutor da bolacha do GaAs para o crescimento Epitaxial

N-tipo bolacha principal de VGF 2inch 4inch 6inch do GaAs da categoria para o crescimento epitaxial

Especificação das bolachas do GaAs

Os dispositivos do arsenieto de gálio que foram usados são:

what is wafer in semiconductor

what is a semiconductor wafer

gaas substrate