SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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Pureza alta Al2O3 99,999% Sapphire Substrate Wafer Carrier DSP SSP
Sapphire Substrate é um portador de alta qualidade da carcaça do único-cristal feito do material Al2O3 com um ultra-baixo TTV menos do μm de 5. Está disponível no C-plano e na orientação do M-plano, fornecendo um paralelismo excelente de 3 arcsecs. É a escolha perfeita para janelas da safira e aplicações da bolacha da safira. É perfeito para aplicações ótico, optoelectronic, e de semicondutor do dispositivo da parte alta. Com seu desempenho proeminente, Sapphire Substrate é a escolha ideal para aplicações de exigência.
Sapphire Substrate de ZMSH é a escolha perfeita para suas necessidades do dispositivo do bolacha-nível. Nossa bolacha da safira tem um número de modelo de bolacha da safira, que é feita em China e caracteriza uma orientação de superfície de ±0.5°, uma abertura clara de >90%, uma aspereza de superfície do Ra<0>
| Parâmetros | Descrição |
|---|---|
| Nome | Sapphire Wafer Substrate Carrier |
| Material | Al2O3 99,999% |
| Tipo da carcaça | Único cristal |
| Tamanho | polegada 8inch 12inch de 1inch 2inch 3inch 4inch 6 |
| Espessura | 0.1-5mm |
| Curva | <20> |
| TTV | <5> |
| Nivelamento | λ/10@633nm |
| Paralelismo | Segundo de 3 arcos |
| Abertura clara | >90% |
| Palavras-chaves | Bolacha da safira, janelas da safira, M-plano do C-plano, fabricação da bolacha, crescimento de cristal, opto-eletrônico, portador da carcaça, único cristal |
| Não | Propriedades | Alvo | Tolerância | ||||||||||||||||||||||
| 1 | Diâmetro | 50.8mm | ± 0.1mm | ||||||||||||||||||||||
| 2 | Espessura | 430μm | ±15μm | ||||||||||||||||||||||
| 3 | Orientação de superfície do C-plano | fora da C-linha central a M0.2° | ± 0.1° | ||||||||||||||||||||||
| 4 | Comprimento liso preliminar | 16mm | ±11mm | ||||||||||||||||||||||
| 5 | Orientação lisa preliminar | Um-plano (11-20) | ±0.1° | ||||||||||||||||||||||
| 6 | Aspereza do verso | 0.8~1.2um | |||||||||||||||||||||||
| 7 | Aspereza da parte anterior | <0> | |||||||||||||||||||||||
| 8 | Borda da bolacha | R-tipo | |||||||||||||||||||||||
| 9 | Variação total da espessura, TTV | ≤ 10μm (LTV≤5μm, 5*5) | |||||||||||||||||||||||
| 10 | SORI | ≤10μm | |||||||||||||||||||||||
| 11 | Curva | -10 ≤ 0 da CURVA do ≤ do μm | |||||||||||||||||||||||
| 12 | Laser Mark | N/A | |||||||||||||||||||||||
| Pacote | 25 bolachas em uma gaveta | ||||||||||||||||||||||||
| Capacidade do traço | As bolachas serão rastreáveis no que diz respeito ao número da gaveta | ||||||||||||||||||||||||
Nós especializamo-nos em proporcionar serviços personalizados para ZMSH Sapphire Substrate com a abertura clara alta e a aspereza de superfície de <0>
Os recipientes são embalados com cuidado em umas caixas de cartão ondulado para o transporte seguro. A caixa é identificada por meio do endereço do cliente, o nome do produto, e o número de recipientes. As dimensões da caixa são marcadas igualmente na caixa.
O transitário é responsável para entregar o produto a seu destino. O cliente é responsável para todas as taxas adicionais associadas com o transporte.