SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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ZMSH é o principal fabricante e fornecedor de wafers de substrato de SiC (carboneto de silício).Nossos wafers são ideais para dispositivos eletrônicos com alta potência e alta frequência, bem como para diodos emissores de luz (LED).
O melhor preço do mercado para wafers de substrato de carboneto de silício de grau de pesquisa de 2 e 3 polegadas é oferecido por nós.O LED é uma fonte de luz fria que economiza energia, que consiste na combinação de elétrons e buracos semicondutores, e é um dos componentes eletrônicos mais comumente usados.
Substratos ou wafers de carboneto de silício (SiC) podem ter a estrutura cristalina 6H ou 4H, com parâmetros de rede de 6H (a=3,073 Å, c=15,117 Å) e 4H (a=3,076Å, c=10,053 Å) respectivamente.As estruturas 6H possuem uma sequência de empilhamento ABCACB e as estruturas 4H possuem ABCB.Eles estão disponíveis em grau de produção, grau de pesquisa ou grau fictício.
Os substratos de SiC podem ser do tipo N ou semi-isolantes, com band-gap de 3,23 eV.A dureza na escala de Mohs para substratos de SiC é 9,2 e a condutividade térmica é 3,2-4,9 W/ cm.K.As constantes dielétricas são e(11)=e(22)=9,66 e e(33)=10,33.A resistividade varia de 4H-SiC-N (0,015-0,028 Ω·cm), 6H-SiC-N (0,02-0,1 Ω·cm) a 4H/6H-SiC-SI (>1E7 Ω·cm).O acondicionamento é feito em saco limpo Classe 100, em sala limpa Classe 1000.
O wafer de carboneto de silício, comumente conhecido como wafer de SiC, é um tipo de substrato adequado para eletrônicos automotivos, dispositivos optoeletrônicos e aplicações industriais.Inclui substrato de SiC tipo 4H-N e substrato de SiC semi-isolante.Essas variedades de wafer de carboneto de silício são capazes de suportar altas temperaturas e criar circuitos eletrônicos altamente eficientes.
O substrato SiC tipo 4H-N é a variedade mais utilizada.Ele fornece maior tensão de ruptura, melhor estabilidade de temperatura e menor corrente de fuga do que a maioria dos materiais wafer.O substrato semi-isolante de SiC, por outro lado, apresenta menor taxa de vazamento elétrico.Ele também possui uma tensão de ruptura constante ao longo do tempo e da temperatura e um coeficiente de resistência de baixa temperatura.
O wafer SiC é a escolha ideal para projetos preocupados com energia e eficiência e está ganhando cada vez mais força nas aplicações automotivas, optoeletrônicas e industriais.Possui propriedades térmicas e elétricas intrínsecas que são benéficas para o desempenho de dispositivos microeletrônicos e é amplamente utilizado no desenvolvimento de ECUs e dispositivos optoeletrônicos de alto desempenho e baixa potência.
Oferecemos vários níveis de suporte técnico para nossos produtos Wafer de Carboneto de Silício.Nossa equipe de engenheiros e técnicos experientes está disponível para ajudar em qualquer uma de suas necessidades.
Também fornecemos uma variedade de serviços para garantir que seus produtos Wafer de carboneto de silício estejam operando com desempenho ideal.Nossos serviços incluem:
Embalagem e envio de wafers de carboneto de silício:
Os wafers de carboneto de silício são enviados em embalagens protetoras para garantir que permaneçam seguros durante o transporte.A embalagem deve incluir materiais de amortecimento para reduzir choques e vibrações.Eles normalmente são enviados como uma unidade única e devem ser manuseados com cuidado.Embalagens especiais estão disponíveis para armazenamento de longo prazo ou aplicações em altas temperaturas.
O método de envio dos Wafers de Carboneto de Silício pode variar dependendo das necessidades do cliente, mas normalmente eles são enviados por meio de um serviço de correio expresso.Todos os pacotes devem ser claramente etiquetados com o conteúdo, destinatário e remetente.Além disso, o transportador deve receber a documentação necessária para o desembaraço aduaneiro.
A marca do wafer de carboneto de silício é ZMSH.
O número do modelo do Wafer de Carboneto de Silício é Carboneto de Silício.
O Wafer de Carboneto de Silício é fabricado na China.
A quantidade mínima de pedido do Wafer de Carboneto de Silício é 5.
A entrega do Wafer de Carboneto de Silício leva 2 semanas.