Wafer SiO2 Laver de óxido térmico Espessura 20um+5% Sistema de comunicação óptica MEMS
Descrição do produto:
A bolacha de dióxido de silício SIO2 serve como um elemento fundamental na fabricação de semicondutores.Este substrato crucial está disponível em diâmetros de 6 e 8 polegadasA partir daí, o material é utilizado para a fabricação de produtos de alta resistência dieletrica.O seu índice de refração, aproximadamente 1,4458 a 1550 nm, garante um desempenho ideal em diversas aplicações.
Reconhecida por sua uniformidade e pureza, esta bolacha é uma escolha ideal para dispositivos ópticos, circuitos integrados e microeletrônicos.As suas propriedades facilitam processos de fabricação de dispositivos precisos e apoiam os avanços tecnológicosAlém do seu papel fundamental na fabricação de semicondutores, estende a sua fiabilidade e funcionalidade a um espectro de aplicações, garantindo estabilidade e eficiência.
Com os seus atributos excepcionais, a bolacha de dióxido de silício SIO2 continua a impulsionar inovações na tecnologia de semicondutores, permitindo avanços em campos como circuitos integrados,OptoeletrónicaAs suas contribuições para tecnologias de ponta sublinham a sua importância como material fundamental na produção de semicondutores.
Características:
- Nome do produto: Substrato de semicondutores
- Índice de refração: 550nm de 1,4458 ± 0.0001
- Ponto de ebulição: 2,230° C
- Áreas de aplicação: Fabricação de semicondutores, microelectrónica, dispositivos ópticos, etc.
- Espessura: 20 mm, 10 mm, 25 mm
- Peso molecular: 60.09
- Material semicondutor: Sim
- Material do substrato: Sim
- Aplicações: Fabricação de semicondutores, Microelectrónica, Dispositivos ópticos, etc.
Parâmetros técnicos:
Parâmetro |
Especificações |
Espessura |
20um, 10um, 25um |
Densidade |
2533 Kg/m-3 |
Tolerância de espessura de óxido |
+/- 5% (ambos lados) |
Áreas de aplicação |
Fabricação de semicondutores, microeletrónica, dispositivos ópticos, etc. |
Ponto de fusão |
1,600° C (2,912° F) |
Conductividade térmica |
Cerca de 1,4 W/m·K @ 300K |
Índice de refração |
Aproximadamente 1.44 |
Peso Molecular |
60.09 |
Coeficiente de expansão |
0.5 × 10^-6/°C |
Índice de refração |
550nm de 1,4458 ± 0.0001 |
Orifícios de óxido de silício ultraespessos |
Aplicações |
Oxidação superficial |
Wafer ultrafinos |
Conductividade térmica |
Cerca de 1,4 W/m·K @ 300K |
Aplicações:
- Transistores de película fina:Empregado na produção de dispositivos TFT.
- Células solares:Utilizado como substrato ou camada isolante na tecnologia fotovoltaica.
- MEMS (Sistemas Micro-Electro-Mecânicos):Crucial para o desenvolvimento de dispositivos MEMS.
- Sensores químicos:Utilizado para detecção química sensível.
- Dispositivos biomédicos:Empregado em várias aplicações biomédicas.
- Energia fotovoltaica:Apoia a tecnologia de células solares para conversão de energia.
- Passivação superficial:Auxílios na protecção da superfície dos semicondutores.
- Guia de ondas:Usado em comunicação óptica e fotônica.
- Fibras ópticas:Integrado em sistemas de comunicação óptica.
- Sensores de gás:Empregado na detecção e análise de gases.
- Nanostructuras:Utilizado como substrato para o desenvolvimento de nanoestruturas.
- Capacitores:Utilizado em várias aplicações elétricas.
- Sequenciamento de ADN:Apoia aplicações na investigação genética.
- Biosensores:Usado para análises biológicas e químicas.
- Microfluídica:Integral na fabricação de dispositivos microfluídicos.
- Diodos emissores de luz (LED):Suporta a tecnologia LED em várias aplicações.
- Microprocessadores:Essencial para a produção de dispositivos de microprocessadores.
Personalização:
Substrato de semicondutores
Marca:ZMSH
Número do modelo:Orifícios de óxido de silício ultraespessos
Local de origem:China
O nosso substrato semicondutor é projetado com alta condutividade térmica, oxidação superficial e wafer de óxido de silício ultra espesso.4 W/(m·K) @ 300K e ponto de fusão de 1O ponto de ebulição é 2.230° C e a orientação é <100><11><110>. O peso molecular deste substrato é 60.09.
Apoio e Serviços:
Fornecemos suporte técnico e serviço para o nosso produto de Substrato de Semicondutores.Também podemos fornecer assistência na solução de problemas que você encontrar durante o uso do produtoTambém oferecemos assistência remota para aqueles que precisam dela. Nossa equipe de suporte está disponível durante o horário comercial normal, e podemos ser alcançados por telefone, e-mail ou através do nosso site.
Embalagem e transporte:
Embalagem e transporte de substrato de semicondutores:
- Os produtos embalados devem ser manuseados com cuidado, utilizando sempre que possível uma cobertura protetora, como borracha ou espuma.
- Se possível, use várias camadas de cobertura protetora.
- Marque a embalagem com o conteúdo e o destino.
- Envie o pacote usando um serviço de envio apropriado.
Perguntas frequentes:
- P: Qual é a marca do Substrato de Semicondutores?
- A: A marca é ZMSH.
- P: Qual é o número de modelo do Substrato de Semicondutores?
- R: O número do modelo é wafer de óxido de silício ultra espesso.
- P: Onde é feito o Substrato de Semicondutores?
- R: É feito na China.
- P: Qual é o propósito do substrato semicondutor?
- R: O substrato semicondutor é utilizado na fabricação de circuitos integrados, sistemas microeletromecânicos e outras microestruturas.
- P: Qual é a característica do substrato semicondutor?
- R: As características do Substrato Semicondutor incluem baixo coeficiente de expansão térmica, alta condutividade térmica, alta resistência mecânica e excelente resistência à temperatura.