A bolacha de carburo de silício é utilizada principalmente na produção de diodos Schottky, transistores de efeito de campo de óxido metálico semicondutores, transistores de efeito de campo de junção, transistores de junção bipolar,tiristoresO Wafer de Carbono de Silício possui alta/baixa resistividade, garantindo o desempenho que você precisa,independentemente dos requisitos da sua candidaturaQuer estejam a trabalhar com eletrónica de alta potência ou sensores de baixa potência, o nosso wafer está à altura da tarefa.Então, se você está procurando por uma óleo de carburo de silício de alta qualidade que oferece desempenho excepcional e confiabilidadeGarantimos que não ficará desapontado com a sua qualidade ou desempenho.

Grau		Zero MPDGrade	Grau de produção	Grau de simulação
Diâmetro		100.0 mm +/- 0,5 mm
Espessura	4H-N	350 um +/- 20 um	350 um +/- 25 um
	4H-SI	500 um +/- 20 um	500 um +/- 25 um
Orientação da wafer		No eixo: <0001> +/- 0,5 graus para 4H-SI
		Fora do eixo: 4,0 graus para <11-20> +/- 0,5 graus para 4H-N
Resistividade elétrica	4H-N	0.015 ~ 0.025		0.015 ~ 0.028
(Ohm-cm)	4H-SI	> 1E9		> 1E5
Orientação plana primária		{10-10} +/- 5,0 graus
Duração plana primária		32.5 mm +/- 2,0 mm
Duração plana secundária		18.0 mm +/- 2,0 mm
Orientação plana secundária		Silício virado para cima: 90 graus CW do plano primário +/- 5,0 graus
Exclusão da borda		3 mm
LTV/TTV/Bow/Warp		3um /5um /15um /30um		10um /15um /25um /40um
Superfície rugosa		Polish Ra < 1 nm na face C
		CMP Ra < 0,2 nm		Ra < 0,5 nm
As rachaduras inspeccionadas por luz de alta intensidade		Nenhum	Nenhum	1 permitido, 2 mm
Placas hexagonais inspeccionadas por luz de alta intensidade		Área acumulada ≤ 0,05%		Área acumulada ≤ 0,1 %
Áreas de politipo inspeccionadas por luz de alta intensidade		Nenhum	Nenhum	Área acumulada≤3%
Riscos inspeccionados com luz de alta intensidade		Nenhum	Nenhum	Comprimento acumulado≤1x diâmetro da bolacha
Fragmentação da borda		Nenhum	Nenhum	5 permitidos, ≤ 1 mm cada
Contaminação da superfície verificada pela luz de alta intensidade		Nenhum

4H N Tipo Semi Tipo SiC Wafer 4 polegadas DSP Produção Pesquisa de calibre Dummy Personalização

Caráter:

1. Forte estabilidade a altas temperaturas: as wafers de carburo de silício apresentam condutividade térmica extremamente elevada e inércia química,permitindo-lhes manter a estabilidade em ambientes de alta temperatura sem sofrer facilmente expansão térmica e deformação.
2. Alta resistência mecânica: as wafers de carburo de silício possuem alta rigidez e dureza, permitindo-lhes resistir a altas tensões e cargas pesadas.
3. Excelentes propriedades elétricas: as wafers de carburo de silício têm propriedades elétricas superiores em comparação com os materiais de silício, com alta condutividade elétrica e mobilidade de elétrons.
4• Excelente desempenho óptico: as wafers de carburo de silício possuem boa transparência e forte resistência à radiação.

Crescimento de cristais únicos de carburo de silício:

Desafios no crescimento de cristal único de SiC:O SiC existe em mais de 220 estruturas cristalinas, sendo as mais comuns 3C (cúbico), 2H, 4H e 6H (hexagonal) e 15R (romboédrico).,tornando-o inadequado para o crescimento através de métodos como o processo de Czochralski. Sublima acima de 1800 °C, decompondo-se em Si gasoso, Si2C, SiC e C sólido (o componente principal).O mecanismo de crescimento envolvendo espirais bicamadas de silício-carbono leva à formação de defeitos cristalinos durante o processo de crescimento.

1: Método de transporte físico de vapor (PVT):

No crescimento PVT de SiC, o pó de SiC é colocado no fundo de um forno e aquecido.Devido à temperatura mais elevada no fundo e menor temperatura na parte superior do cadinho, o vapor condensa e cresce na direção do cristal de semente, formando eventualmente cristais de SiC.

Vantagem: O equipamento PVT é atualmente o principal método para o cultivo de cristais de SiC devido à sua estrutura e operação fáceis.é relativamente difícil alcançar a expansão do diâmetro no crescimento de cristais de SiCPor exemplo, se você tem um cristal de 4 polegadas e quer expandí-lo para 6 ou 8 polegadas, isso exigiria um período significativamente longo.As vantagens da dopagem de cristais de SiC não são muito pronunciadas usando este método.

2Método de solução a alta temperatura:

Este método depende de um solvente para dissolver o elemento carbono. A capacidade do solvente para dissolver o soluto varia em diferentes temperaturas.O solvente utilizado é o cromo (Cr)Embora os metais sejam sólidos à temperatura ambiente, eles derretem em um líquido a altas temperaturas, tornando-se efetivamente uma solução.onde Cr atua como um transporte, transportando o elemento carbono do fundo do forno para o topo, onde esfria e cristaliza para formar cristais.

Vantagem:As vantagens do cultivo de SiC utilizando o método de solução a alta temperatura incluem a baixa densidade de deslocamento, que tem sido um problema fundamental que restringe o desempenho dos dispositivos de SiC;facilidade de alcançar a expansão do diâmetro■ e obtenção de cristais de tipo p.Desvantagem:No entanto, este método também tem algumas desvantagens, tais como a sublimação do solvente a altas temperaturas, o controle da concentração de impurezas durante o crescimento do cristal, a encapsulamento do solvente,e formação de cristais flutuantes.

3: Método de deposição química a vapor a alta temperatura (HTCVD):

Este método difere significativamente dos dois métodos anteriores na medida em que a matéria-prima para o SiC muda.O HTCVD utiliza gases orgânicos que contêm elementos C e Si como matéria-prima SiCNo HTCVD, os gases são introduzidos no forno através de uma tubulação, onde reagem e formam cristais de SiC.Devido à complexidade e ao elevado custo deste processo, não é a principal tecnologia para o cultivo de cristais de SiC no momento.

Aplicações:

1Inversores, conversores CC-DC e carregadores a bordo para veículos elétricos: Estas aplicações exigem um grande número de módulos de energia.Os dispositivos de carburo de silício aumentam significativamente a autonomia e reduzem o tempo de carregamento dos veículos elétricos.
2Dispositivos de potência de carburo de silício para aplicações de energia renovável: Dispositivos de potência de carburo de silício utilizados em inversores para aplicações de energia solar e eólica aumentam a utilização de energia,fornecer soluções mais eficientes para o pico de carbono e a neutralidade de carbono.
3Aplicações de alta tensão como ferrovias de alta velocidade, sistemas de metrô e redes de energia: os sistemas nesses campos exigem tolerância à alta tensão, segurança e eficiência operacional.Os dispositivos de potência baseados na epitaxia de carburo de silício são a escolha ideal para as aplicações acima mencionadas.
4Dispositivos RF de alta potência para comunicação 5G: Estes dispositivos para o setor de comunicação 5G exigem substratos com alta condutividade térmica e propriedades de isolamento.Isto facilita a realização de estruturas epitaxiais GaN superiores.

Perguntas frequentes:

P: Qual é a diferença entre 4H-SiC e SiC?
R: O carburo de silício 4H (4H-SiC) se destaca como um politipo superior de SiC devido à sua ampla distância de banda, excelente estabilidade térmica e notáveis características elétricas e mecânicas.

P: Quando deve ser utilizado o SiC?
R: Se você quiser citar alguém ou algo em seu trabalho, e perceber que o material de origem contém um erro ortográfico ou gramatical,Você usa sic para indicar o erro colocando-o logo após o erro.

P: Porquê 4H SiC?
R: O 4H-SiC é preferido ao 6H-SiC para a maioria das aplicações eletrônicas porque tem uma mobilidade eletrônica mais elevada e mais isotrópica do que o 6H-SiC.

Recomendação do produto:

1.Substrato Sic de 2 polegadas Tipo 6H-N

2.Wafers de carburo de silício de 8 polegadas

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