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Wafer de safira 12 polegadas AL2O3 Personalização DSP SSP plano C plano A plano M plano LED substrato de safira
O safiro é um material com uma combinação única de propriedades físicas, químicas e ópticas, que o tornam resistente a altas temperaturas, choque térmico, erosão por água e areia e arranhões.É um material de janela superior para muitas aplicações IR de 3μm a 5μmOs substratos de safira de plano C são amplamente utilizados para o cultivo de compostos III-V e II-VI, tais como GaN para LEDs azuis e diodos laser,enquanto os substratos de safira de plano R são usados para deposição hetero-epitaxial de silício para aplicações de ICs microeletrônicos.
As wafers de safira são um material semicondutor comumente usado, geralmente se referindo a cristais de alumina (Al2O3).
1Propriedades ópticas:
As placas de safira possuem uma excelente transparência óptica, especialmente na faixa espectral visível e do infravermelho próximo.e aparelhos optoeletrônicos.
2. Dureza e resistência ao desgaste:
As bolinhas de safira têm uma dureza muito alta, a segunda apenas após o diamante, e, portanto, têm boa resistência ao desgaste.Esta propriedade torna as obleias de safira muito úteis em aplicações que exigem superfícies resistentes a arranhões e desgaste, tais como revestimentos de superfícies de relógios e janelas ópticas.
3Estabilidade química:
As bolinhas de safira têm boa estabilidade química e podem resistir à corrosão por ácidos e álcalis.e ambientes de alta temperatura/alta pressão.
4Propriedades térmicas:
As bolinhas de safira têm alta condutividade térmica e capacidade térmica, o que as torna mais estáveis em ambientes de alta temperatura.As obleias de safira são uma escolha de material ideal para sensores de alta temperatura, sistemas de refrigeração a laser e dispositivos eletrónicos de alta temperatura.
Ponto | Especificações | ||||
---|---|---|---|---|---|
Diâmetro | 2 polegadas | 4 polegadas | 15 cm | 8 polegadas | 12 polegadas |
Materiais | Safira artificial ((Al2O3 ≥ 99,99%) | ||||
Espessura | 430 ± 15 μm | 650 ± 15 μm | 1300±20 μm | 1300±20 μm | 3000 ± 20 μm |
Superfície orientação |
c-plano ((0001) | ||||
DE comprimento | 16 ± 1 mm | 30 ± 1 mm | 47.5±2,5 mm | 47.5±2,5 mm | *negociável |
DE orientação | a-plano 0±0,3° | ||||
TTV * | ¥10 μm | ¥10 μm | 15 μm | 15 μm | *negociável |
BOW * | -10 ~ 0 μm | -15 ~ 0 μm | -20 ~ 0 μm | -25 ~ 0 μm | *negociável |
Warp * | 15 μm | 20 μm | ¢ 25 μm | ¢ 30 μm | *negociável |
Lado da frente acabamento |
Preparado para epi (Ra<0,3 nm) | ||||
Do lado de trás acabamento |
Lapping (Ra 0,6 - 1,2 μm) | ||||
Embalagem | Embalagem a vácuo em sala limpa | ||||
Primeira categoria | Limpeza de alta qualidade: tamanho das partículas 0.3um), 0.18pcs/cm2, contaminação por metais 2E10/cm2 | ||||
Observações | Especificações personalizáveis: orientação a/r/m plano, fora de ângulo, forma, polir de dois lados |
1. As objetivas de safira de plano C são amplamente utilizadas para o crescimento de materiais semicondutores de banda larga III-V e II-VI, tais como nitruro de gálio (GaN), nitruro de alumínio (AlN), nitruro de ínio (InN),óxido de zinco (ZnO para a emissão de luz UV), e óxido de estanho (SnO2 para materiais emissores de luz UV).
2Para além disso, as placas de safira C-plane (0001) encontram amplas aplicações na preparação de LEDs de cores branca, azul, UV,e wafers epitaxial UV profundos através de técnicas como a deposição de vapor químico metalorgânico (MOCVD), epitaxia de feixe molecular (MBE), deposição de vapor químico reforçado pelo plasma (PECVD) e outros métodos de crescimento epitaxial.
3Os wafers de safira padrão também podem servir de substratos para transistores bipolares de heterojunção (HBTs), diodos laser (LDs), detectores UV, nanotubos,e como materiais de dissipação de calor para alta temperatura, dispositivos eletrónicos de alta potência e de alta frequência.
Oferecemos opções de personalização para o substrato de safira em diferentes tamanhos, incluindo diâmetros de 1 polegada, 2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas, 5 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas e 12 polegadas.A nossa bolacha de safira pode ser ajustada para atender às suas necessidades específicas., com uma tolerância de diâmetro ≤ 3%.
1.Utilizando 99,999% de alta pureza de cristal único Al2O3 material de grau óptico.
2A tecnologia especializada de polimento químico-mecânico (CMP) é empregada para assegurar o seu desempenho rentável.
3Todas as orientações cristalinas apresentam uma excelente qualidade de superfície (ruidez da superfície do plano C inferior a 0,2 nm, plano A, plano M, plano R, etc., inferior a 0,5 nm).
4.Limpeza numa zona de purificação da classe 100 com água ultrapura superior a 18 MΩ*cm para assegurar uma limpeza superior em cada superfície da bolacha.
5Embalados em caixas de 25 wafers ou caixas de uma única wafer para maximizar a flexibilidade da pesquisa do cliente.
6A cada bolacha é atribuído um número de série do produto para efeitos de rastreabilidade.
7.Uma embalagem de cartão racional e compacta garante um transporte mais seguro e economias de custos.
8As bolinhas de especificação padrão estão geralmente disponíveis em estoque para entrega rápida.
1P: Qual é a diferença entre a safira e as wafers de silício?
R: Os LEDs são as aplicações mais populares para safira. O material é transparente e é um excelente condutor de luz.O silício é opaco e não permite uma extracção eficiente da luzNo entanto, o material semicondutor é ideal para LEDs, porque é barato e transparente.
2P: O que é safira em semicondutores?
A: de alta pureza de cristal único (AI2O3), o safiro é ideal para os requisitos precisos e exigentes da fabricação de semicondutores, oferecendo uma transparência, mas durável, livre de partículas,Solução rentável em ambientes agressivos que se mostram demasiado desafiadores para materiais de tecnologia inferior.
3.P: Por que há silício no Sapphire?
R: O SOS faz parte da família de tecnologias CMOS (complementar MOS) de silício sobre isolador (SOI) em substratos de safira aquecidos.A vantagem do safiro é que ele é um excelente isolante elétrico, impedindo que as correntes errantes causadas pela radiação se espalhem para os elementos do circuito próximos.
1.0.1 mm Espessura Wafers de safira
2.2 polegadas A-Plano de cristal único Sapphire Wafer Substrato Al2O3 monocristalino