Wafer SiC Epitaxial Silicon Carbide 4H 4inch 6inch Indústria de Semicondutores de Alta Resistividade

Wafer SiC Epitaxial Silicon Carbide 4H 4inch 6inch Indústria de Semicondutores de Alta Resistividade

Descrição do Wafer epitaxial SiC:

A epitaxia do carburo de silício é um material semicondutor composto composto por elementos de carbono e silício (excluindo fatores de dopagem).A folha epitaxial de carburo de silício (SiC) é um material semicondutor importante, amplamente utilizado em dispositivos eletrônicos de alta potência, alta temperatura e alta frequência.O carburo de silício tem um espaço de banda larga (cerca de 3.0 eV), tornando-o excelente a altas temperaturas e altas tensões.Técnicas de crescimento epitaxial comuns incluem deposição de vapor químico (CVD) e epitaxia de feixe molecular (MBE). A espessura da camada epitaxial geralmente varia de alguns microns a várias centenas de microns. Usado para a fabricação de dispositivos eletrônicos de potência (como MOSFETs, diodos, etc.),amplamente utilizado em veículos eléctricosO silicone é um material de alta eficiência que é utilizado em sensores de alta temperatura e dispositivos de RF.Os dispositivos SiC têm maior resistência à tensão e melhor eficiênciaCom o crescimento dos veículos elétricos e dos mercados de energias renováveis, a tecnologia de ponta para a produção de energia elétrica está a aumentar.A procura de chapas epitaxial de carburo de silício continua a aumentar.

A nossa empresa especializa-se em produtos epitaxial homogéneos de carburo de silício cultivados em substratos de carburo de silício, conhecidos pela sua tolerância à alta tensão, forte resistência à corrente,e alta estabilidade operacionalEstas características tornam-na uma matéria-prima crucial para a fabricação de dispositivos de potência.As bolinhas epitaxiais de carburo de silício servem como a pedra angular para a produção de dispositivos de energia e são essenciais para otimizar o desempenho do dispositivo.

Características da Wafer Epitaxial SiC:

A. Estrutura cristalina

Este politipo tem uma constante de rede menor, alta mobilidade de elétrons e velocidade de saturação de elétrons, tornando-o ideal para dispositivos de alta frequência e alta potência.A largura da faixa de 4H-SiC é de aproximadamente 3.26 eV, proporcionando um desempenho elétrico estável a altas temperaturas.

B. Propriedades eletrónicas

A largura da faixa do carburo de silício determina a sua estabilidade a altas temperaturas e sob campos elétricos elevados.permitem-lhes manter um excelente desempenho elétrico a temperaturas que atingem várias centenas de graus, enquanto o silício tradicional (Si) tem uma largura de banda de apenas 1,12 eV.
Velocidade de saturação de elétrons: o carburo de silício tem uma velocidade de saturação de elétrons próxima de 2 × 107 cm/s, cerca de duas vezes a do silício,reforçar ainda mais a sua competitividade em aplicações de alta frequência e de alta potência.

C. Propriedades térmicas

O carburo de silício apresenta excelente condutividade térmica e coeficiente de expansão térmica, o que o torna excepcionalmente bom em ambientes de alta potência e alta temperatura.
Coeficiente de expansão térmica: O coeficiente de expansão térmica do carburo de silício é de cerca de 4,0 × 10−6 /K, semelhante ao silício.O seu desempenho estável a altas temperaturas ajuda a reduzir o esforço mecânico durante os processos de ciclo térmico.

D. Propriedades mecânicas

O carburo de silício é conhecido por sua dureza, resistência à abrasão, excelente estabilidade química e resistência à corrosão.
Dureza: o carburo de silício tem uma dureza de Mohs de 9.5, próximo do diamante, proporcionando-lhe uma elevada resistência ao desgaste e resistência mecânica.
Estabilidade química e resistência à corrosão: A estabilidade do carburo de silício a altas temperaturas, pressões,e ambientes químicos agressivos torna-o adequado para dispositivos eletrônicos e aplicações de sensores em condições adversas.

Especificações da Wafer Epitaxial SiC:

Fotos físicas da Wafer Epitaxial SiC:

Imagem da embalagem da Wafer Epitaxial SiC:

O carburo de silício (SiC) necessita de epitaxia pelas seguintes razões:

1Características do material

Os dispositivos de potência de carburo de silício diferem nos processos de fabricação dos dispositivos de potência de silício tradicionais. Eles não podem ser fabricados diretamente em material de carburo de silício de cristal único.As camadas epitaxianas de alta qualidade devem ser cultivadas em substratos de cristal único de tipo condutor., onde podem ser fabricados vários dispositivos.

2. Melhorar a Qualidade do Material

Os substratos de carburo de silício podem conter defeitos como limites de grãos, deslocamentos, impurezas, etc., o que pode afetar significativamente o desempenho e a confiabilidade do dispositivo.O crescimento epitaxial ajuda na formação de uma nova camada de carburo de silício no substrato com uma estrutura cristalina completa e menos defeitos, melhorando significativamente a qualidade do material.

3Controle preciso do doping e da espessura

O crescimento epitaxial permite controlar com precisão o tipo de dopagem e a concentração na camada epitaxial, bem como a espessura da camada epitaxial.Isto é crucial para a fabricação de dispositivos à base de carburo de silício de alto desempenho, uma vez que factores como o tipo e a concentração de dopagem, a espessura da camada epitaxial, etc., afectam directamente as propriedades eléctricas, térmicas e mecânicas dos dispositivos.

4Controle das características do material

Ao aumentar epitaxialmente o SiC em substratos, podem ser alcançadas diferentes orientações cristalinas do crescimento do SiC em vários tipos de substratos (como 4H-SiC, 6H-SiC, etc.),Obtenção de cristais de SiC com direcções específicas da face cristalina para satisfazer os requisitos de características dos materiais de diferentes campos de aplicação.

5. Eficiência de custos

O crescimento do carburo de silício é lento, com uma taxa de crescimento de apenas 2 cm por mês, e um forno pode produzir cerca de 400-500 peças por ano.A produção em lotes pode ser alcançada em processos de produção em larga escalaEste método é mais adequado para as necessidades de produção industrial em comparação com o corte direto de blocos de SiC.

Aplicações da Wafer Epitaxial SiC:

As wafers epitaxiais de carburo de silício têm uma ampla gama de aplicações em dispositivos eletrônicos de potência, abrangendo áreas como veículos elétricos, energia renovável e sistemas de energia industrial.

• Veículos elétricos e estações de carregamento:Os dispositivos de alimentação a carburo de silício aumentam a eficiência e a fiabilidade dos sistemas de alimentação de veículos elétricos, permitindo um carregamento mais rápido e uma autonomia maior.

• Sistemas de produção e armazenamento de energia renovável:Os dispositivos de carburo de silício alcançam uma maior eficiência de conversão de energia em inversores solares e sistemas de energia eólica, reduzindo as perdas de energia.

• Fornecedores de energia industriais e motores de frequência variável:A alta eficiência e fiabilidade dos dispositivos de potência de carburo de silício fazem com que sejam amplamente utilizados em fontes de alimentação industriais e motores de frequência variável,Melhoria do desempenho e da eficiência energética dos equipamentos.

• LEDs e lasers UV:Os materiais de carburo de silício podem produzir luz ultravioleta eficiente, amplamente utilizada em desinfecção, purificação de água e campos de comunicação.

• Detectores optoeletrônicos de alta temperatura:Os detectores optoeletrônicos de carburo de silício mantêm uma alta sensibilidade e estabilidade em ambientes de alta temperatura, adequados para detecção de incêndio e imagens de alta temperatura.

• Sensores de pressão de alta temperatura e sensores de gás:Os sensores de carburo de silício apresentam um excelente desempenho em ambientes de alta temperatura e alta pressão, amplamente utilizados no controlo industrial e na monitorização ambiental.

• Sensores químicos e biosensores:A resistência à corrosão dos materiais de carburo de silício proporciona uma vida útil mais longa e maior estabilidade em sensores químicos e biológicos.

• Dispositivos eletrónicos de alta temperatura:O excelente desempenho dos dispositivos de carburo de silício em ambientes de alta temperatura torna-os valiosos em aplicações aeroespaciais e de perfuração de poços profundos.

• Aplicações aeroespaciais e militares:A elevada fiabilidade e a resistência ambiental dos dispositivos de carburo de silício tornam-nos opções ideais nos campos aeroespacial e militar, capazes de executar tarefas em condições extremas.

Aplicação Imagens de Wafer Epitaxial SiC:

Perguntas frequentes:

1P: O que é a epitaxia de SiC?
R:O crescimento epitaxial é utilizado para produzir camadas activas de estruturas de dispositivos à base de carburo de silício (SiC) com densidade e espessura de dopagem projetadas.

2P: Como funciona a epitaxia?
A: epitaxia, o processo de crescimento de um cristal de uma orientação particular em cima de outro cristal, onde a orientação é determinada pelo cristal subjacente.

3P: O que significa epitaxia?
R: A epitaxia refere-se à deposição de uma camada sobre um substrato cristalino, onde a camada está em registo com o substrato.

Recomendação do produto:

1 Wafer de carburo de silício epitaxial polido de 100 mm SIC espessura de 1 mm para crescimento de lingotes

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2 SiC Substrato 4H/6H-P 3C-N 145,5 mm~150,0 mm Z Grau P Grau D Grau

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Personalização de Wafer SiC:

1Podemos personalizar o tamanho do substrato de SiC para atender às suas necessidades específicas.

2O preço é determinado pelo caso, e os detalhes da embalagem podem ser personalizados para a sua preferência.

3O tempo de entrega é de 2 a 4 semanas. Aceitamos o pagamento via T/T.

4Nossa fábrica tem equipamentos de produção avançados e equipe técnica, que pode personalizar várias especificações, espessuras e formas de Wafer SiC de acordo com os requisitos específicos dos clientes.