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Substrato GaN-on-Si Epitaxy Si de 8 polegadas 110 111 110 para reatores MOCVD ou aplicação de energia RF

Substrato GaN-on-Si Epitaxy Si de 8 polegadas 110 111 110 para reatores MOCVD ou aplicação de energia RF
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Substrato de epitaxia si de 8 polegadas GaN-on-Si ((110 111 110) para reatores MOCVD ou aplicações de energia de RF 8 polegadas de GaN-on-Si Epitaxy ...
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