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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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Substrato GaN-on-Si Epitaxy Si de 8 polegadas 110 111 110 para reatores MOCVD ou aplicação de energia RF
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Substrato GaN-on-Si Epitaxy Si de 8 polegadas 110 111 110 para reatores MOCVD ou aplicação de energia RF
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