SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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Wafer InP 2 polegadas 3 polegadas 4 polegadas VGF P tipo N tipo Depant Zn S Fe Prime Grade não dopado
As bolinhas de fosfeto de ínio ((bolinhas InP) são preparadas a partir de fosfeto de ínio, que é um semicondutor binário.Wafer InPEsta velocidade eletrônica superior faz dele o composto mais útil para aplicações optoeletrônicas,Transistores rápidosA utilização mais comum de diodos de tunelagem por ressonância é a de diodos de tunelagem por ressonância.Wafers InPestá presente em dispositivos eletrónicos de alta frequência e de alta potência.Wafer InPÉ também amplamente utilizado em comunicação de fibra óptica de alta velocidade porque o fosfeto de ínio emite e detecta comprimentos de onda acima de 1000 nm.Wafer InPA tecnologia 5G também é utilizada como substrato para lasers e fotodiodos em aplicações Datacom e Telecom.Wafer InPO mercado vai tocar o cume.Wafers InPSerão os wafers mais desejados para serem usados em conexões de fibra óptica, redes de acesso ao metro, redes de empresas, centros de dados, etc.Wafer InPque será mais eficiente e eficaz.
O Caráter da Wafer InP:
1Bandgap: O InP tem um bandgap estreito de cerca de 1,35 eV à temperatura ambiente, tornando-o adequado para aplicações em optoeletrônica, como fotodetectores, lasers e células solares.
2. Alta mobilidade eletrônica: InP tem alta mobilidade eletrônica em comparação com outros materiais semicondutores,que é benéfico para dispositivos eletrônicos de alta velocidade como transistores de alta frequência e circuitos integrados.
3. Alta condutividade térmica: InP tem uma condutividade térmica relativamente elevada, permitindo uma dissipação de calor eficiente em dispositivos eletrônicos de alta potência.
4Propriedades ópticas: As placas InP têm excelentes propriedades ópticas, incluindo uma elevada transparência na região infravermelha, tornando-as ideais para comunicações ópticas e aplicações de detecção.
5- Propriedades de baixo ruído: o InP apresenta características de baixo ruído, tornando-o adequado para amplificadores e receptores de baixo ruído em sistemas de comunicação.
6Estabilidade química: O InP é quimicamente estável, o que contribui para a sua fiabilidade em vários ambientes.
7. Grelha combinada com InGaAs: InP é combinada com o Arseneto de Índio Gállio (InGaAs), permitindo o crescimento de heterostruturas de alta qualidade para dispositivos optoeletrônicos.
8. Alta tensão de ruptura: as placas InP têm uma alta tensão de ruptura, tornando-as adequadas para aplicações de alta potência e alta frequência.
9Velocidade de saturação de elétrons elevada: o InP apresenta uma velocidade de saturação de elétrons elevada, o que é benéfico para dispositivos eletrónicos de alta velocidade.
10Dopagem: as placas InP podem ser dopadas para criar regiões de tipo n e p, permitindo a fabricação de vários tipos de dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos.
A forma da bolacha InP:
| Materiais | InP |
|---|---|
| Método de crescimento | LEC,VCZ/P-LEC, VGF, VB |
| Retalho (A) | a=5.869 |
| Estrutura | M3 |
| Ponto de fusão | 1600°C |
| Densidade ((g/cm3) | 40,79 g/cm3 |
| Material dopado |
Não dopado S-dopado Zn-dopado Fe-dopado
|
| Tipo |
N N P N
|
| Concentração do transportador (cm-3) |
(0,4-2) x 1016 (0,8-3) x 1018 (4-6) x 1018
(0,6-2) x 1018
|
| Mobilidade (cm2v-1s-1) |
(3.5-4) x 103 (2.2-2.4) x 103 (1.3-1.6) x 103
|
| EPD (média) |
3 x 104. cm2 2 x 103/cm2. 2 x 104/cm2. 3 x 104/cm2
|
A foto física da InP Wafer:
Aplicação do InP Wafer:
1Fotônica:
Laser e Detectores: Com sua faixa de banda estreita (~ 1,35 elétronvolts), o InP é adequado para dispositivos como lasers e detectores em aplicações fotônicas.
Comunicação óptica: as wafers InP desempenham um papel crucial nos sistemas de comunicação óptica, utilizados em componentes como lasers e moduladores para fibra óptica.
2Dispositivos semicondutores:
Transistores de alta velocidade: A alta mobilidade eletrônica do InP torna-o um material ideal para a fabricação de transistores de alta velocidade.
Células solares: as placas InP apresentam um bom desempenho nas células solares, permitindo uma conversão fotovoltaica eficiente.
3. Dispositivos de microondas e RF:
Circuitos integrados de microondas (MICs): as wafers InP são usadas na fabricação de circuitos integrados de microondas e RF, fornecendo resposta e desempenho de alta frequência.
Amplificadores de baixo ruído: as wafers InP encontram aplicações importantes em amplificadores de baixo ruído em sistemas de comunicação.
4Dispositivos fotovoltaicos:
Células fotovoltaicas: as placas InP são utilizadas no fabrico de células fotovoltaicas de alta eficiência para sistemas de energia solar.
5Tecnologia de sensores:
Sensores ópticos: as wafers InP possuem potencial em aplicações de sensores ópticos, utilizadas em várias tecnologias de sensores e sistemas de imagem.
6Circuitos integrados:
Circuitos integrados optoeletrônicos: as wafers InP são utilizadas na fabricação de circuitos integrados optoeletrônicos para aplicações em comunicação óptica e detecção.
7Dispositivos ópticos:
Amplificadores de fibra óptica: as wafers InP desempenham um papel crítico em amplificadores de fibra óptica para amplificação e transmissão de sinal em comunicações de fibra óptica.
As imagens de aplicação da InP Wafer:
Aqui estão alguns aspectos da personalização de wafer InP:
1. Tamanho da bolacha: as bolachas InP podem ser personalizadas em termos de diâmetro (2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas) e espessura para atender às necessidades específicas da aplicação.
2Orientação: a orientação da bolacha ((100), (111) A, (111) B) pode ser especificada com base na orientação cristalina desejada para a aplicação pretendida.
3- Perfil de dopagem: podem ser criados perfis de dopagem personalizados através do controlo da concentração e distribuição dos dopantes (sílico,Enxofre) para atingir propriedades elétricas específicas necessárias para a fabricação do dispositivo.
4. Qualidade da superfície: a qualidade da superfície da wafer pode ser personalizada para atender às especificações de rugosidade exigidas, garantindo um desempenho ideal em aplicações como optoeletrônica e fotônica.
5. Camadas epitaxiais: as wafers InP podem ser personalizadas com camadas epitaxiais de outros materiais como InGaAs, InAlGaAs ou InGaAsP para criar heterostruturas para dispositivos especializados como lasers,Aparelhos fotodetectores, e transistores de alta velocidade.
6Revestimentos especializados: as placas InP podem ser revestidas com materiais ou filmes específicos para melhorar o seu desempenho em aplicações particulares, como revestimentos anti-reflexos para dispositivos ópticos.
1.P: O que é um semicondutor InP?
R: O fosfeto de ínio (InP) refere-se a um semicondutor binário que consiste em ínio (In) e fósforo (P). Como os semicondutores de arsênio de gálio (GaAs) que vêm com uma estrutura cristalina de zincblende,InP é classificado num grupo de materiais que pertencem aos semicondutores III-V.
2.P: Para que serve o fosfeto de ínio?
R: Os substratos de fosfeto de ínio são utilizados principalmente para o crescimento de estruturas que contêm liga ternar (InGaAs) e quaternária (InGaAsP), utilizadas para a fabricação de comprimentos de onda longos (1.3 e 1.4).55 μm) lasers de diodos, LEDs e fotodetectores.
3.P: Quais são as vantagens do InP?
R: Alta mobilidade eletrônica: O InP apresenta mobilidade eletrônica quase dez vezes maior do que o silício, tornando-o perfeito para transistores e amplificadores de alta velocidade em sistemas de telecomunicações e radar.