SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
COMÉRCIO FAMOSO CO. DE SHANGHAI, LTD
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8 polegadas GaN-on-Si Epitaxy Wafer 110 111 110 N-tipo P-tipo de personalização semicondutor RF LED
As placas GaN-on-Si MMIC e Si CMOS de 8 polegadas de diâmetro (acima, à esquerda) são integradas em 3D na escala da wafer.O substrato de Si da bolacha de silício sobre o isolante é completamente removido por moagem e gravura úmida seletiva para parar no óxido enterrado (BOX)As vias para a parte de trás do CMOS e para a parte superior dos circuitos GaN são gravadas separadamente e interconectadas com um metal superior.A integração vertical minimiza o tamanho do chip e reduz a distância de interconexão para reduzir a perda e o atrasoAlém da abordagem de ligação óxido-óxido, está em curso um trabalho para expandir as capacidades da abordagem de integração 3D através da utilização de interconexões de ligações híbridas,que permitiria ligações elétricas diretas entre as duas wafers sem vias separadas para os circuitos GaN e CMOS.
Alta uniformidade
Corrente de baixa fuga
Temperaturas de funcionamento mais elevadas
Excelente característica de 2DEG
Alta tensão de ruptura (600V-1200V)
Resistência de ligação inferior
Frequências de comutação mais elevadas
Frequências de funcionamento mais elevadas (até 18 GHz)
Processo compatível com CMOS para MMICs GaN-on-Si
A utilização de substrato de Si de 200 mm de diâmetro e ferramentas CMOS reduz os custos e aumenta o rendimento
Integração 3D em escala de wafer de GaN MMICs com CMOS para melhorar as funcionalidades com benefícios de tamanho, peso e potência melhorados
A forma das bolhas de GaN-on-Si:
| Ponto de referência | Nitreto de gálio em wafer de silício, GaN em wafer de silício |
| Película fina de GaN | 0.5 μm ± 0,1 μm |
| Orientação GaN | C-plano (0001) |
| Cara de Ga-face | < 1 nm, como adulto, preparado para EPI |
| Cara N | Tipo P/B dopado |
| Polaridade | Cara de Ga-face |
| Tipo de condutividade | Não dopado/tipo N |
| Densidade de macros defeitos | < 5 cm2 |
| Substrato de wafer de silício | |
| Orientação | < 100> |
| Tipo de condutividade | Tipo N/P-dopado ou tipo P/B-dopado |
| Dimensão: | 10 x 10 x 0,5 mm 2 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas |
| Resistividade | 1-5 ohms-cm, 0-10 ohms-cm, < 0,005 ohms-cm ou outros |
A foto física de GaN-on-Si Wafers:
Aplicação de Wafers GaN-on-Si:
1Iluminação: Os substratos GaN-on-Si são utilizados na fabricação de diodos emissores de luz (LED) de alta luminosidade para várias aplicações, como iluminação geral, iluminação automotiva,Iluminação de fundo para ecrãsOs LEDs GaN são eficientes em termos energéticos e duráveis.
2Eletrônicos de potência: Os substratos GaN-on-Si são utilizados na produção de dispositivos eletrônicos de potência, como transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMT) e diodos Schottky.Estes dispositivos são utilizados em fontes de alimentação, inversores e conversores devido à sua elevada eficiência e rapidez de comutação.
3Comunicação sem fio: Os substratos GaN-on-Si são utilizados no desenvolvimento de dispositivos RF de alta frequência e alta potência para sistemas de comunicação sem fio, como sistemas de radar, comunicação por satélite,e estações de baseOs dispositivos GaN RF oferecem uma elevada densidade de potência e eficiência.
4. Automóveis: Os substratos GaN-on-Si são cada vez mais utilizados na indústria automóvel para aplicações como carregadores integrados, conversores DC-DC e motores devido à sua alta densidade de potência,eficiência e fiabilidade.
5Energia solar: substratos GaN-on-Si podem ser utilizados na produção de células solares,onde a sua elevada eficiência e resistência aos danos causados pela radiação podem ser vantajosas para aplicações espaciais e fotovoltaicos concentrados.
6Sensores: Os substratos GaN-on-Si podem ser utilizados no desenvolvimento de sensores para várias aplicações, incluindo sensores de gases, sensores UV e sensores de pressão,devido à sua elevada sensibilidade e estabilidade.
7Biomédica: Os substratos GaN-on-Si têm aplicações potenciais em dispositivos biomédicos para detecção, imagem e terapia devido à sua biocompatibilidade, estabilidade,e capacidade de operar em ambientes adversos.
8Eletrônicos de Consumo: Os substratos GaN-on-Si são usados em eletrônicos de consumo para várias aplicações, como carregamento sem fio, adaptadores de energia,e circuitos de alta frequência devido à sua alta eficiência e tamanho compacto.
Imagem de aplicação de Wafers GaN-on-Si:
Perguntas frequentes:
1.P: Qual é o processo de GaN no silício?
R: Tecnologia de empilhamento 3D. Após a separação, a bolacha doadora de silício se fende ao longo de um plano de cristal enfraquecido e, assim, deixa uma fina camada de material de canal de silício na bolacha GaN.Este canal de silício é então processado em transistores PMOS de silício na wafer GaN.
2Q: Quais são as vantagens do nitruro de gálio em relação ao silício?
R: O nitruro de gálio (GaN) é um semicondutor binário III/V muito duro, mecanicamente estável, com maior resistência à quebra, velocidade de comutação mais rápida,maior condutividade térmica e menor resistência ao on, os dispositivos de potência baseados em GaN superam significativamente os dispositivos baseados em silício.
Recomendação do produto:
2Wafer de Nitreto de Gállio GaN de 2 a 4 polegadas