Largura de banda do substrato N-InP 02:2Wafer epi de comprimento de onda.5G de 1270 nm para diodo laser FP
O substrato N-InP FP Epiwafer's Overview
Nosso N-InP Substrate FP Epiwafer é uma bolacha epitaxial de alto desempenho projetada para a fabricação de diodos laser Fabry-Pérot (FP), especificamente otimizados para aplicações de comunicação óptica.Este Epiwafer possui um substrato de Índio Fosfeto (N-InP) tipo N, um material conhecido pelas suas excelentes propriedades eletrónicas e optoeletrónicas, tornando-o ideal para dispositivos de alta velocidade e de alta frequência.
O Epiwafer foi concebido para produzir diodos a laser a um comprimento de onda de 1270 nm.que é um comprimento de onda crítico para sistemas de multiplexagem por divisão de comprimento de onda grosseira (CWDM) em comunicações de fibra ópticaO controlo preciso da composição e espessura da camada epitaxial garante um desempenho óptimo, com o diodo laser FP capaz de atingir uma largura de banda operacional de até 2,5 GHz.Esta largura de banda torna o dispositivo adequado para transmissão de dados de alta velocidade, que suportam aplicações que exigem uma comunicação rápida e fiável.
A estrutura da cavidade Fabry-Pérot (FP) do diodo laser, facilitada pelas camadas epitaxiais de alta qualidade no substrato InP,garante a geração de luz coerente com ruído mínimo e elevada eficiênciaEste Epiwafer foi concebido para proporcionar um desempenho consistente e fiável, tornando-o uma excelente escolha para os fabricantes que pretendem produzir diodos laser de ponta para telecomunicações,Centros de dados, e outros ambientes de rede de alta velocidade.
Em resumo, o nosso N-InP Substrate FP Epiwafer é um componente crítico para sistemas avançados de comunicação óptica, oferecendo excelentes propriedades de material, direcionamento de comprimento de onda preciso,e largura de banda operacional elevadaProporciona uma base sólida para a produção de diodos laser FP que satisfaçam as exigências rigorosas das redes de comunicação de alta velocidade modernas.
Propriedades do substrato N-InP FP Epiwafer
The N-InP Substrate FP Epiwafer is characterized by a set of specialized properties that make it an ideal choice for the fabrication of Fabry-Pérot (FP) laser diodes used in high-performance optical communication systemsAbaixo estão as principais propriedades deste Epiwafer:
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Material de substrato:
- Tipo: Fósforo de índio de tipo N (N-InP)
- Propriedades: Alta mobilidade eletrônica, baixa resistividade e excelente condutividade térmica, tornando-o adequado para aplicações eletrônicas e optoeletrônicas de alta velocidade.
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Camada epitaxial:
- Técnica de crescimento: As camadas epitaxiais são cultivadas no substrato N-InP utilizando técnicas como a Depensação de Vapor Químico Metal-Orgânico (MOCVD) ou a Epitaxia de Feixe Molecular (MBE).
- Composição da camada: Controle preciso da concentração de dopagem e da composição dos materiais para alcançar as propriedades electrónicas e ópticas desejadas.
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Comprimento de onda:
- Comprimento de onda alvo: 1270 nm
- Aplicação: Ideal para multiplexação por divisão de comprimento de onda grosseira (CWDM) em sistemas de comunicação de fibra óptica.
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Largura de banda:
- Largura de banda operacional: Até 2,5 GHz
- Desempenho: Adequado para a transmissão de dados de alta velocidade, garantindo um desempenho fiável nas telecomunicações e redes de dados.
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Cavidade de Fabry-Pérot:
- Estrutura: O Epiwafer suporta a formação de uma cavidade de Fabry-Pérot, essencial para gerar luz coerente com alta eficiência.
- Propriedades do laser: Produz diodos laser com ruído mínimo, emissão de comprimento de onda estável e alta potência de saída.
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Qualidade da superfície:
- Poluição: A superfície do substrato é altamente polida para minimizar defeitos, garantindo uma camada epitaxial de alta qualidade com deslocamentos mínimos.
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Propriedades térmicas:
- Dissipação de calor: A excelente condutividade térmica do substrato N-InP permite uma efetiva dissipação de calor, crucial para manter o desempenho e a longevidade do diodo laser.
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Adequação da aplicação:
- Dispositivos alvo: concebido para diodos laser FP utilizados em sistemas de comunicação óptica, centros de dados e outros ambientes de rede de alta velocidade.
Estas propriedades contribuem colectivamente para a capacidade do Epiwafer para apoiar a produção de diodos laser FP de alta qualidade,satisfazer as exigências rigorosas das tecnologias de comunicação óptica modernas.
Aplicações do substrato N-InP FP Epiwafer
O N-InP Substrate FP Epiwafer é um componente crítico no desenvolvimento de dispositivos optoeletrônicos avançados, particularmente os diodos laser Fabry-Pérot (FP).As suas propriedades tornam-no adequado para uma ampla gama de aplicações em comunicações de alta velocidade e campos relacionadosAqui estão as principais aplicações:
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Sistemas de comunicação óptica:
- Transmissão por fibra óptica: O Epiwafer é ideal para a fabricação de diodos laser FP que operam no comprimento de onda de 1270 nm, comumente utilizados em sistemas de multiplexagem por divisão de comprimento de onda grosseira (CWDM).Estes sistemas dependem de um controle preciso do comprimento de onda para transmitir vários canais de dados através de uma única fibra, aumentando a largura de banda sem a necessidade de fibras adicionais.
- Ligações de dados de alta velocidade: A wafer suporta diodos laser com uma largura de banda operacional de até 2,5 GHz, tornando-a adequada para aplicações de transmissão de dados de alta velocidade,Incluindo redes de área metropolitana (MAN) e redes ópticas de longa distância.
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Centros de dados:
- Interligações: Os diodos laser FP fabricados a partir deste Epiwafer são utilizados em interconexões ópticas dentro de centros de dados, onde a comunicação de alta velocidade e baixa latência é crucial.Estes lasers garantem uma transferência de dados eficiente entre servidores, sistemas de armazenamento e equipamento de rede.
- Infraestrutura de computação em nuvem: À medida que os serviços em nuvem exigem taxas de dados cada vez maiores, os diodos laser FP ajudam a manter o desempenho e a fiabilidade das redes de centros de dados, apoiando a grande escala,ambientes de computação distribuídos.
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Serviços de telecomunicações:
- Redes 5G: O Epiwafer é utilizado na produção de diodos laser para infra-estruturas de telecomunicações 5G, onde são necessárias altas taxas de transferência de dados e conexões fiáveis.Os diodos laser FP fornecem os sinais ópticos necessários para a transmissão de dados através do backbone das redes 5G.
- FTTx (Fibra para x): Esta tecnologia envolve a implantação de redes de fibra óptica mais próximas dos utilizadores finais (domicílios, empresas) e os diodos laser FP são componentes-chave dos transmissores ópticos utilizados nos sistemas FTTx.
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Equipamento de ensaio e medição:
- Analisadores de espectro óptico: Os diodos laser FP produzidos a partir deste Epiwafer são utilizados em analisadores de espectro óptico, que são ferramentas essenciais para testar e medir o desempenho dos sistemas de comunicação óptica.
- Tomografia de coerência óptica (OCT): Na imagem médica, em especial nos sistemas OCT, os diodos laser FP oferecem a fonte de luz necessária para a imagem de alta resolução dos tecidos biológicos.
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Sensores e Metrologia:
- Sensores ópticos: A precisão e a estabilidade dos diodos laser FP tornam-nos adequados para a utilização em sensores ópticos para monitorização ambiental, controlo de processos industriais e aplicações biomédicas.
- Distância e sistemas de posicionamento: Os diodos laser FP são também utilizados em sistemas que exigem medições precisas de distância, como o LIDAR (Light Detection and Ranging) e outras tecnologias de posicionamento.
A versatilidade e as características de alto desempenho do N-InP Substrate FP Epiwafer tornam-no uma pedra angular para uma ampla gama de tecnologias de ponta em comunicações ópticas, centros de dados,serviços de telecomunicações, e além.
Fotos do substrato N-InP FP Epiwafer
