InP DFB Epiwafer comprimento de onda 1390nm InP substrato 2 4 6 polegadas para 2,5 ~ 25G DFB diodo laser
InP DFB Epiwafer InP substrato de resumo
InP DFB Epiwafers projetados para aplicações de comprimento de onda de 1390 nm são componentes críticos usados em sistemas de comunicação óptica de alta velocidade, particularmente para 2.Diodos a laser DFB (Reflexão Distribuída) de 5 a 25 GbpsEssas wafers são cultivadas em substratos de fósforo de ínio (InP) usando técnicas avançadas de deposição de vapor químico orgânico-metálico (MOCVD) para obter camadas epitaxial de alta qualidade.
A região ativa do laser DFB é tipicamente fabricada usando InGaAlAs ou InGaAsP poços quânticos múltiplos quaternários (MQWs), que são projetados para ser compensados por tensão.Isto garante um desempenho e estabilidade ótimos para a transmissão de dados de alta velocidadeOs wafers estão disponíveis em vários tamanhos de substrato, incluindo 2 polegadas, 4 polegadas e 6 polegadas, para atender às diversas necessidades de fabricação.
O comprimento de onda de 1390 nm é ideal para sistemas de comunicação óptica que exigem uma saída de modo único precisa com baixa dispersão e perda,tornando-o particularmente adequado para redes de comunicação de médio alcance e aplicações de detecçãoOs clientes podem realizar a formação da grelha ou solicitar serviços de epihouse, incluindo o re-growth para personalização adicional.
Estes epiwafers são especificamente concebidos para atender às exigências dos sistemas modernos de telecomunicações e comunicação de dados, proporcionando eficiência,soluções de alto desempenho para transceptores ópticos e módulos a laser em redes de alta velocidade.
InP DFB Epiwafer Estrutura do substrato InP
InP DFB Epiwafer Resultado do ensaio de mapeamento PL do substrato InP
InP DFB Epiwafer Resultado do ensaio XRD e ECV do substrato InP
InP DFB Epiwafer As fotos reais do substrato InP
InP DFB Epiwafer Propriedades do substrato InP
Propriedades do Epiwafer DFB InP no substrato InP
Material de substrato: fosfato de ídio (InP)
- Combinação de rede: InP proporciona uma excelente correspondência entre a rede e as camadas epitaxiais, tais como InGaAsP ou InGaAlAs, garantindo um crescimento epitaxial de alta qualidade com um esforço e defeitos mínimos,que é crucial para o desempenho dos lasers DFB.
- Bandgap direto: InP tem uma banda de 1,344 eV, o que o torna ideal para emitir luz no espectro infravermelho, particularmente em comprimentos de onda como 1,3 μm e 1,55 μm, comumente utilizados na comunicação óptica.
Camadas epitaxianas
- Região activa: A região ativa consiste tipicamente de poços quânticos múltiplos quaternários (MQWs) InGaAsP ou InGaAlAs. Estes MQWs são compensados pela tensão para melhorar o desempenho,assegurando uma recombinação eficiente entre elétrons e buracos e um elevado ganho óptico.
- Camadas de revestimento: Estas camadas fornecem confinamento óptico, garantindo que a luz permaneça dentro da região ativa, aumentando a eficiência do laser.
- Camada de grelha: A estrutura integrada da grelha fornece feedback para a operação de modo único, garantindo uma emissão estável e de largura de linha estreita.A grade pode ser fabricada pelo cliente ou oferecida pelo fornecedor do epiwafer.
Comprimento de onda operacional:
- 1390 nm: O laser DFB é otimizado para operar a 1390 nm, o que é adequado para aplicações em comunicação óptica, incluindo redes de metrô e de longa distância.
Capacidade de modulação de alta velocidade:
- O epiwafer foi projetado para uso em lasers DFB que suportam velocidades de transmissão de dados de 2,5 Gbps a 25 Gbps, tornando-o ideal para sistemas de comunicação óptica de alta velocidade.
Estabilidade de temperatura:
- Os epiwafers DFB baseados em inP fornecem excelente estabilidade de temperatura, garantindo emissão de comprimento de onda consistente e desempenho confiável em diferentes ambientes operacionais.
Modo único e largura de linha estreita:
- Os lasers DFB oferecem uma operação de modo único com largura de linha espectral estreita, reduzindo a interferência do sinal e melhorando a integridade da transmissão de dados, o que é essencial para redes de comunicação de alta velocidade.
O Epiwafer DFB InP num substrato InP proporciona uma excelente correspondência de rede, capacidade de modulação de alta velocidade, estabilidade de temperatura e operação de modo único precisa,tornando-se um componente chave em sistemas de comunicação óptica que operam a 1390 nm para taxas de dados de 2.5 Gbps a 25 Gbps.
Ficha de dados
Mais dados estão no nosso documento PDF, clique neleZMSH DFB inp epiwafer.pdf
