N-GaAs Substrato 6 polegadas 350um espessura Para uso VCSEL OptiWave VCSEL EpiWafer

Substrato N-GaAs espessura de 6 polegadas 350um para uso VCSEL

Resumo do substrato do epiWafer VCSEL N-GaAs

OEpiWafer VCSEL em substrato de N-GaAsconcebido para aplicações ópticas de alto desempenho, em especial paraGigabit EtherneteComunicação digital por ligação de dadosConstruído sobre uma bolacha de 6 polegadas, ele apresenta umArquivo laser de alta uniformidadee suporta comprimentos de onda ópticos centrais de850 nme940 nmA estrutura está disponível em ambas as versões.Confinados em óxidoouImplante de prótons VCSELO Wafer é otimizado para aplicações que exigem:baixa dependência das características elétricas e ópticas sobre a temperatura, tornando- o ideal para utilização emratos a laser,Comunicação óptica, e outros ambientes sensíveis à temperatura.

Estrutura do substrato do epiWafer VCSEL N-GaAs

Foto do substrato do epiWafer N-GaAs do VCSEL

Ficha de dados do substrato do epiWafer N-GaAs do VCSELZMSH VCSEL EPIWAFER.pdf

Propriedades do substrato do epiWafer VCSEL N-GaAs

OEpiWafer VCSEL em substrato de N-GaAspossui várias propriedades essenciais que o tornam adequado para aplicações ópticas de alto desempenho:

Substrato de N-GaAs:

• Fornece excelentecondutividade elétricae serve como uma base estável para o crescimento epitaxial das estruturas VCSEL.
• Ofertasbaixa densidade de defeito, o que é crucial para um funcionamento do dispositivo de alto desempenho e fiabilidade.

Tonabilidade por comprimento de onda:

• Apoio850 nme940 nmO sistema é concebido para ser utilizado em aplicações de alta velocidade, com comprimentos de onda ópticos centrais, tornando-o ideal para aplicações emComunicação ópticaeSensores 3D.

Arquivo de laser de alta uniformidade:

• Assegura um desempenho consistente em toda a wafer, crucial para dispositivos baseados em matriz emCentros de dadoseredes de fibra óptica.

Implante de óxido confinado ou protão:

• Disponível emConfinados em óxidoouImplante de prótonsEstruturas VCSEL, oferecendo flexibilidade no design para otimizar o desempenho para aplicações específicas.

Estabilidade térmica:

• Para exposiçõesbaixa dependência das características elétricas e ópticas numa ampla gama de temperaturas, garantindo um funcionamento estável em ambientes sensíveis à temperatura.

Alta potência e velocidade:

• A estrutura da bolacha suportaTransmissão de dados de alta velocidadeeoperação de alta potência, tornando- o adequado paraGigabit Ethernet,Comunicação de dados, eLIDARsistemas.

Escalabilidade:

• O formato da bolacha de 6 polegadas permiteprodução rentável, apoiando a fabricação em larga escala e a integração em vários sistemas ópticos.

Essas propriedades tornam o epiWafer VCSEL em substrato N-GaAs ideal para aplicações que exigem alta eficiência, estabilidade de temperatura e desempenho confiável.