Chongqing Silian Optoelectronic Science & tecnologia Co., Ltd.

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Manufacturer from China
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Diodo emissor de luz Sapphire Substrate de 4 polegadas, Sapphire Glass Wide Transmission Range feita sob encomenda

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Chongqing Silian Optoelectronic Science & tecnologia Co., Ltd.
Cidade:chongqing
Província / Estado:chongqing
País / Região:china
Pessoa de contato:MsWu
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Diodo emissor de luz Sapphire Substrate de 4 polegadas, Sapphire Glass Wide Transmission Range feita sob encomenda

Pergunte o preço mais recente
Number modelo :Personalizado
Lugar de origem :Chongqing, China
Quantidade de ordem mínima :500pcs
Termos do pagamento :Western Union, T/T, MoneyGram
Capacidade da fonte :20.000 PCes/mês
Prazo de entrega :5-8 semanas
Detalhes de empacotamento :PCes 1pcs/12pcs/25
Nome :Diodo emissor de luz Sapphire Substrate
Diâmetro :100.1±0.1mm
Comprimento liso :31±1mm
Curva :0 ~ (- 10) um
Cor :Transparente; outras cores
EPD :² de <1000/cm
Orientação lisa preliminar :Um-plano 0°±0.5°
Borda quebrada :≤3mm
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Ver descrição do produto

carcaça customizável da safira do diodo emissor de luz de 4 polegadas, escala larga da aplicação

 

Descrição do produto

 

A safira tem a confiança alta, a durabilidade de grande resistência, alta, a resistência alta do risco, a escala de transmissão larga e a baixa distorção do wavefront da transmissão sob circunstâncias de temperatura do alto e baixo. Pode ser usada em uma variedade de janelas da elevada precisão, em uma variedade de lasers e em indústrias. Aplicação, amplamente utilizada nos painéis do telefone celular, nas câmaras digitais e nos outros campos.

 

Especificação técnica

 

Propriedades Unidade carcaça de 4 polegadas
Diâmetro milímetro 100.1±0.1
Comprimento liso milímetro 31±1
Material Pureza alta e Al2O3 Monocrystalline
Crystal Orientation de superfície C-plano 0°±0.1°
Orientação lisa preliminar Um-plano 0°±0.5°
Borda quebrada ≤3mm
Quebra Nenhum rachamento
Defeito Nenhum Wrappage, cristal gêmeo ou Crystal Boundary
EPD ² de <1000/cm

 

Características do produto

 

A dureza da safira é muito altamente, e sua dureza é em segundo somente ao diamante em materiais naturais, mas precisa de ser diluída e cortado durante o processo de manufatura de dispositivos do diodo emissor de luz. Sua precisão de corte é calculada a nível do μm. Isto é para a carcaça da safira que corta as exigências tecnologicos propõe um teste muito alto.
Devido à faixa ótica larga da penetração da safira, tem o bom transmitância claro da luz próximo-ultravioleta à luz meados de-infravermelha. Consequentemente, é amplamente utilizado em componentes óticos, nos dispositivos infravermelhos, nos materiais da lente do laser da alta intensidade e nos materiais da máscara.
Tem as características da velocidade sadia alta, da resistência de alta temperatura, da resistência de corrosão, da dureza alta, do transmitância claro alto, e do ponto de derretimento alto (2045°C). É um material muito difícil a processar, assim que é usado frequentemente como um material para componentes optoelectronic. Presentemente, a qualidade do branco do ultra-alto-brilho/diodo emissor de luz azul depende da qualidade material da epitaxia do nitreto do gálio (GaN), e a qualidade da epitaxia do nitreto do gálio é estreitamente relacionada à qualidade de processamento de superfície da carcaça da safira usou-se.

 

Diodo emissor de luz Sapphire Substrate de 4 polegadas, Sapphire Glass Wide Transmission Range feita sob encomendaDiodo emissor de luz Sapphire Substrate de 4 polegadas, Sapphire Glass Wide Transmission Range feita sob encomenda

 

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