Chongqing Silian Optoelectronic Science & tecnologia Co., Ltd.
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carcaça da safira 6-inch com bom transmitância claro
Descrição do produto
A composição quimica do cristal de safira é alumina, com a estrutura sextavada da estrutura de cristal. A safira é um material de uso geral da carcaça para o crescimento epitaxial do nitreto do gálio (GaN). Tem a dureza ultra-alta, propriedades físicas e químicas estáveis em altas temperaturas, desempenho ótico excelente.
Especificação técnica
| Propriedades | Unidade | carcaça de 6 polegadas |
| Diâmetro | milímetro | 150.1±0.1 |
| Comprimento liso | milímetro | 47.5±1 |
| Material | Pureza alta e AL2O3 Monocrystalline | |
| Crystal Orientation de superfície | C-plano 0°±0.1° | |
| Orientação lisa preliminar | Um-plano 0°±0.5° | |
| Borda quebrada | ≤3mm | |
| Quebra | Nenhum rachamento | |
| Defeito | Nenhum Wrappage, cristal gêmeo ou Crystal Boundary | |
| EPD | ² de <1000/cm | |
Pesquisa do desempenho
O GaN semi-polar e não-polar pode ser crescido na carcaça da safira com alguns planos especiais como o M-plano <1-100>e o R-plano <1-102>. O GaN semi-polar e não-polar tem o bom desempenho para melhorar o efeito da inclinação do dispositivo, o fenômeno do deslocamento do comprimento de onda e a eficiência da faixa do comprimento de onda longo do dispositivo do diodo emissor de luz. Os estudos mostraram que usar a camada de alta temperatura da nucleação de AlN e a temperatura mais alta do crescimento de AlGaN, ou uma camada do amortecedor com o AlGaN multilayer, ou a utilização do si que lubrifica a técnica pode eficazmente melhorar a qualidade de cristal e a densidade de deslocação dos filmes finos semi-polares e não-polares de AlGaN crescidos em carcaças da safira.
