Shenzhen Kerun Optoelectronics Inc.

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SMD do dígito 0,3" 7 de Mini Ultra Thin 2 exposição de diodo emissor de luz do segmento

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Shenzhen Kerun Optoelectronics Inc.
Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:Mscatherine
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SMD do dígito 0,3" 7 de Mini Ultra Thin 2 exposição de diodo emissor de luz do segmento

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Number modelo :personalizado
Lugar de origem :CHINA
Quantidade de ordem mínima :Negociável
Termos do pagamento :T/T, Western Union, MoneyGram, L/C
Capacidade da fonte :10000pcs/day
Prazo de entrega :20-25 dias de trabalho, podem negociar baseado na quantidade da ordem
Detalhes de empacotamento :Pacote interno: O filme plástico fino cerca os produtos para protegê-lo do risco e da água. Pacote e
Nome :O dígito ultra fino 0,3" de Mini Size 2 SMD SMT conduziu a exposição conduzida 7 segmentos
Altura do dígito :0,3 polegadas
Número do dígito :2 dígitos
Cor de superfície :Cor preta ou cinzenta
Tamanho do produto :14.8*12 milímetro
Emitindo-se a cor :Vermelho
Polaridade :Cátodo ou ânodo comum
Aplicação :Uso interno
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O dígito ultra fino 0,3" de Mini Size 2 SMD SMT conduziu a exposição conduzida 7 segmentos

Características de produtos:

1. Tempo de resposta claro curto extremo, brilho alto, baixa potência, favorável ao meio ambiente e de poupança de energia.

2. Pode ser conduzido pela baixa tensão e pela baixa corrente.

3. É fácil conduzir e controlar e consequentemente é aplicado extensamente.

4. Os produtos são empacotados em de circuito integrado e são consequentemente estáveis e para ter a boa tensão do ar.

5. Período de longa vida, horas de geralmente mais de 50 milhares

6. Porque é usada universal, estes produtos pode salvar feito sob encomenda morre custo

7. Os produtos que indicam cores diferentes podiam ser produzidos de acordo com as exigências de clientes.

SMD do dígito 0,3

SMD do dígito 0,3


Cor:

Cor conduzida Azul Verde Verde-amarelo Amarelo Âmbar Laranja Vermelho Branco
Comprimento de onda (nanômetro) 465-475 515-525 565-575 585-595 600-610 620-630 635-650 /
Microplaqueta conduzida GaN Gap Gap GaAsP GaAsP GaAsP AlInGaP GaN+Phosphor

Max Rating absoluto (25℃, tomam verde-amarelo conduziram como a amostra):

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
ALMOFADA Dissipação de poder pelo segmento 60 mW
VR Volrage reverso pelo segmento 5 V
IAF Corrente dianteira contínua pelo segmento 25 miliampère
IPF Vurrent dianteiro máximo pelo segmento (Duty-0.1, 1KHz) 80 miliampère
/ Derating linear de 25℃ pelo segmento 0,33 mA/℃
Topr Variação da temperatura de funcionamento -35~+85
Tstg Variação da temperatura do armazenamento -35~+85

SMD do dígito 0,3

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