Tecnologia Co. da eletrônica de Shenzhen Semicon, Ltd.
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Efeito de campo MOS Transistor da proteção do N-canal 12V ESD de CSD13381F4 DQ XFDFN-3
| Atributos | valor de parâmetro | |
|---|---|---|
| Catálogo de produto | Transistor de efeito de campo (MOSFET) | |
| tipo | - | |
| Tensão da Dreno-fonte (Vdss) | - | |
| Corrente contínua do dreno (identificação) | - | |
| Poder (paládio) | - | |
| Em-resistência (@Vgs do RDS (sobre), identificação) | - | |
| Tensão do ponto inicial (@Id de Vgs (th)) | - | |
| Carga da porta (Qg@Vgs) | - | |
| Capacidade entrada (Ciss@Vds) | - | |
| Capacidade reversa de transferência (Crss@Vds) | - |
|
