STD6N95K5 TO-252-3 MOSFET>N-channel 950V 9A
Descrição: Tipo: tensão da fonte do dreno do N-canal (Vdss): corrente contínua do dreno 950V (identificação): poder 9A (paládio): em-resistência 90W (RDS (sobre) @ Vgs, identificação): 1,25 Ω @ 10V, tensão do ponto inicial 3A (identificação de Vgs (th) @): 5V@100uA
Especificação
Transporte:
1, nós pode transporte pelo mundo inteiro por DHL, por UPS, por Fedex, por TNT e por EMS.
O empacotamento é muito seguro e forte. Por favor nitfy mim você tem todas as necessidades especiais
2, tomará ao redor 3-5 dias para alcançar suas mãos.
Tipo & condição de produto:
Devido à situação fluctuant das vendas. as peças conservadas em estoque estão mudando sempre e a lista conservada em estoque não pode prontamente ser atualizada.
Consulte por favor a situação conservada em estoque quando você inquire.
Leitura do comprador:
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e se os bens foram danificados por favor contacte-nos imediatamente. envie-nos a foto que nós podemos verificar e lhe dar a melhor solução
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serviço das Pre-vendas:
1. Nossa equipe projeta e faz as soluções baseadas em exigências diferentes dos clientes diferentes.
2. Nós fornecemos 24 horas de serviço, e cada mensagem que você cita o inquérito será respondida dentro de 12 horas
Avaliações elétricas
Avaliações máximas absolutas da tabela 1.
Unidade do valor de parâmetro do símbolo
± 30 V da tensão de fonte de porta de VGS
A identificação drena atual (contínuo) em TC = 25 o °C 9 A
A identificação drena atual (contínuo) em TC = 100 o °C 6 A
Corrente do dreno de IDM (1) (pulsada) 24 A
Dissipação do total de PTOT em TC = 25 °C 90 W
Corrente máxima de IAR (2) durante a avalancha repetitiva ou única 3 A do pulso
EAS
Única energia da avalancha do pulso
(começando TJ = 25 °C, ID=IAS, VDD= 50 V)
90 mJ
inclinação máxima 4,5 V/ns da tensão da recuperação do diodo de dv/dt (3)
aspereza do MOSFET dv/dt de dv/dt (4) 50 V/ns
Variação da temperatura de funcionamento da junção de Tj
- °C 55 a 150
Variação da temperatura do armazenamento de Tstg
1. largura de pulso limitada pela área de funcionamento seguro.
2. largura de pulso limitada por TJmax.
3. ≤ 9 A do ISD, ≤ 100 A/µs de di/dt, ≤ V de VDS (pico) (BR) DSS
4. ≤ 760 V DE VDS
STSTM32F429VGT6.
STSTM8S005K6T6C.
STM8S005K6T6C relacionou produtos
Preço do inventário do tipo do fornecedor do nome da mercadoria
STM8S005K6T6C
Inquérito MouserST0 manual
STM8S005K6T6C
Inquérito VericalST0 manual
STM8S005K6T6C
Inquérito VericalST0 manual
STM8S005K6T6C
Inquérito ArrowST0 manual
STM8S005K6T6C
chip1stopST21.44
FAQ:
Q1. Que é o processo da ordem?
: Primeiramente nós discutimos os detalhes da ordem e detalhes da produção através do e-mail ou TM. Então nós enviar-lhe-emos um PI para
seu confrmation. Depois que nós recebemos o pagamento, nós começamos a processar a ordem.
Q2. Como eu coloco uma ordem?
: Você pode contactar-nos pelo e-mail para encontrar seus detalhes da ordem ou para colocar em linha uma ordem.
Q3. Como eu o pago?
: Após ter confirmado nosso PI, nós pediremos que você pague.
Q4. Como é seu prazo de entrega?
: Em circunstâncias normais, os bens serão enviados dentro de 3-5 dias de trabalho após a recepção
o pagamento, e depende finalmente da quantidade da ordem.
Q5. Você testa todos os bens antes da entrega?
: Sim, nós temos o teste de 100% antes da entrega.
