Eletrônica de poder do MOSFET
Ponto baixo do elevado desempenho SQ2319ADS-T1-BE3 na resistência
Características:
• MOSFET do modo do realce do N-canal
• Baixa Em-resistência RDS (sobre)
• Baixa tensão do ponto inicial da porta
• Interruptor de alta velocidade
• RoHS complacente
Aplicações:
• Sistema de gestão da bateria
• Aplicações automotivos
• Conversores de poder automotivos
• Fontes de alimentação de comutação
• Aplicações do controlo do motor
Parâmetros:
• Tensão da Dreno-fonte: -20V a -200V
• Drene atual: -23A (Tc=25℃)
• Tensão da Porta-fonte: -2.0V a -20V
• Em-resistência da Dreno-fonte: 18mΩ (VGS=-10V)
• Dissipação de poder máxima: 2.3W (Tc=25℃)
• Temperatura de funcionamento: -55℃ a +150℃
• Temperatura de armazenamento: -55℃ a +150℃
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