Eletrônica de poder do MOSFET
NChannel da baixa tensão do elevado desempenho SQ2315ES-T1_BE3
Parâmetros do produto:
• Tensão da Dreno-fonte (Vdss): 600V
• Identificação @ 25°C: 23A
• RDS (sobre) @ 25°C: 0.028ohm
• Tensão da Porta-fonte (Vgs): ±20V
• RDS (sobre) @ 100°C: 0.041ohm
• Paládio @ 25°C: 125W
• Transcondutância (gm): 15.3S
• Qg @ 25°C: 7.2nC
• Carga da porta (Qgs): 2.3nC
• Vth @ 25°C: 3.2V
• Qgd @ 25°C: 3.5nC
• Qgs @ 25°C: 4.9nC
• Ciss: 8200pF
• Coss: 3900pF
• Crss: 61pF
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