Solução segura de capacidade elevada da gestão do poder da eletrônica de poder do MOSFET SQJ872EP-T1_GE3
Características:
• Baixa Em-resistência
• Baixa carga da porta
• Baixa capacidade de saída
• Poder superior e capacidade de manipulação atual
• Baixa capacidade entrada
• Avalancha avaliada
Parâmetros:
• Tensão da Dreno-fonte: 600V
• Corrente contínua do dreno: 8.2A
• Em-resistência da Dreno-fonte: 0.66ohm
• Tensão da Porta-fonte: ±20V
• Dissipação de poder: 1.2W
• Temperatura de funcionamento: -55°C a +150°C
• Montando o tipo: Através do furo
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