N-canal SI2347DS-T1-GE3
Módulo de eletrônica do poder do MOSFET para aplicações da eficiência elevada
Características do produto:
- Baixo RDS (SOBRE)
- Baixa carga da porta
- Alta tensão da divisão da dreno-fonte
- Eficiência elevada
- Resistência térmica excelente
- Interruptor de alta velocidade
Especificações de produto:
- VDSS: 30 V
- RDS (SOBRE): mΩ 2,1 (máximo)
- Qg: 4,7 nC (máximos)
- VGS: ±20 V
- Capacidade entrada (Ciss): 740 PF (tipo)
- Dissipação de poder (paládio): 1,1 W (máximo)
- Temperatura de junção de funcionamento: 150°C (máximo)
- Tipo do pacote: TO-252-3
- Fabricante: Vishay Siliconix
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