Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Dispositivo de capacidade elevada do N-canal da eletrônica de poder do MOSFET de IRF9Z24NPBF para aplicações da eletrônica de poder

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Dispositivo de capacidade elevada do N-canal da eletrônica de poder do MOSFET de IRF9Z24NPBF para aplicações da eletrônica de poder

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Number modelo :IRF9Z24NPBF
Lugar de origem :Multi-origem
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :99999
Prazo de entrega :1-7days
Detalhes de empacotamento :Padrão
Estado do produto :Ativo
Tipo do FET :P-canal
tecnologia :MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) :55 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :12A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :10V
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O IRF9Z24NPBF é um transistor do MOSFET do poder que ofereça uma escala das características e das especificações, incluindo:

  • Baixa resistência do em-estado de 0,12 ohms em um VGS de 10 volts
  • Capacidade levando atual alta de 12 ampères
  • Avaliação máxima da tensão de 55 volts
  • Diodo incorporado do corpo para velocidades de comutação rápidas e a operação eficiente
  • Projeto compacto e áspero para a integração fácil em projetos de circuito
  • Tecnologia avançada de HEXFET para o desempenho e a confiança superiores
  • Avaliação de alta temperatura para a operação segura em circunstâncias extremas

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