Desempenho de comutação excelente de alta qualidade da dissipação de baixa potência da eletrônica de poder do MOSFET de IRF1407STRLPBF
Características do produto:
• Baixa em-resistência
• Capacidade atual máxima alta
• Baixa carga da porta
• Alta tensão da divisão
• Baixa capacidade de entrada e de saída
• Velocidade de comutação rápida
• Ultra-baixa tensão do ponto inicial
• RoHS complacente
• AEC-Q101 qualificou
Especificações técnicas:
• Tipo do transistor: MOSFET
• Drene à tensão da fonte (Vds): 60V
• Porta à tensão da fonte (Vgs): ±20V
• Drene a corrente (identificação): 6A
• Corrente contínua do dreno (identificação): 2.5A
• Em-resistência (Rdson): 0,07 Ω
• Dissipação de poder (paládio): 4.2W
• Temperatura de funcionamento: -55°C a 150°C
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