Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Módulo rápido de alta tensão do interruptor IGBT da eletrônica de poder do MOSFET SIHF12N50CE3

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Módulo rápido de alta tensão do interruptor IGBT da eletrônica de poder do MOSFET SIHF12N50CE3

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Number modelo :SIHF12N50C-E3
Lugar de origem :Multi-origem
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :99999
Prazo de entrega :1-7days
Detalhes de empacotamento :Padrão
Estado do produto :Ativo
Tipo do FET :N-canal
tecnologia :MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) :500 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :12A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :10V
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Nome do produto: SIHF12N50CE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: N-canal 500V (D-S) 175·MOSFET DE C
Tipo do pacote: TO-263-3 (D2PAK)
RoHS complacente: Sim
Tensão máxima da Dreno-fonte (VDS): corrente contínua do dreno 500VMaximum (identificação): 12A
Dissipação de poder máxima: 90W
Tensão da Porta-fonte (VGS) 30V
Tensão do ponto inicial (VGSth) 2.5V (tipo.)
Resistência do Em-estado da Dreno-fonte (RDS (sobre)): (tipo.) variação da temperatura 0.39Q de funcionamento: -55°C a +175°C
Características:
Carga rápida da porta do switchingLow
Baixa resistência da porta
A energia da avalancha avaliou
capacidade lmproved de dv/dt
a avalancha 100% testou
RoHS complacente
Aplicações:
Fontes de alimentação de comutação
Correção de fator de poder
Conversores de DC-DC
Movimentações do motor
Iluminando reatores

 

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