Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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SIHW30N60E-GE3 MOSFET do canal do elevado desempenho 30A 600V N para a eletrônica de poder

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SIHW30N60E-GE3 MOSFET do canal do elevado desempenho 30A 600V N para a eletrônica de poder

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Number modelo :SIHW30N60E-GE3
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1 - 3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
Tensão da Dreno-fonte :600V
Corrente contínua do dreno :30A
Corrente pulsada do dreno :175A
Resistência do Em-estado :0,0665 Ω
Tensão máxima do ponto inicial da porta :4V
Tensão máxima da Porta-fonte :20V
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Elevação SIHW30N60E-GE3

MOSFET do canal do desempenho 30A 600V N para a eletrônica de poder

 

 

Características do produto:


- Interruptor alto da velocidade
- Baixa carga da porta
- Baixa Em-resistência
- MOSFET do poder de TrenchFET
- Produto excelente da carga x RDS da porta (sobre)

 

 

Especificações técnicas:


- Tensão da Dreno-fonte: 600V
- Contínuo drene a corrente: 30A
- Pulsado drene atual: 175A
- Resistência do Em-estado: 0,0665 Ω
- Tensão máxima do ponto inicial da porta: 4V
- Tensão máxima da Porta-fonte: 20V
- Resistência máxima do Em-estado da fonte do dreno: 0,0665 Ω
- Tipo do pacote: TO-220-3
- Variação da temperatura de funcionamento: -55°C a 175°C

 

 

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SIHW30N60E-GE3 MOSFET do canal do elevado desempenho 30A 600V N para a eletrônica de poder

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