Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Transistor da eletrônica de poder do MOSFET de IRFR1018ETRPBF para as aplicações de comutação de grande eficacia

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Transistor da eletrônica de poder do MOSFET de IRFR1018ETRPBF para as aplicações de comutação de grande eficacia

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Number modelo :IRFR1018ETRPBF
Lugar de origem :Multi-origem
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :99999
Prazo de entrega :1-7days
Detalhes de empacotamento :Padrão
Estado do produto :Ativo
Tipo do FET :N-canal
tecnologia :MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) :60 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :56A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :10V
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Está aqui uma lista de descrições do produto para o transistor do MOSFET do poder de IRFR1018ETRPBF:

  1. Interruptor de grande eficacia: Este transistor do MOSFET é projetado para o uso nas aplicações de comutação de grande eficacia, fazendo o ideal para o uso em fontes de alimentação e em outros dispositivos eletrónicos.
  2. Baixo RDS (sobre): Com uma baixa em-resistência (RDS (sobre)) apenas de 10mOhms, este transistor oferece a baixas perdas e eficiência elevada da condução.
  3. Projeto robusto: O IRFR1018ETRPBF caracteriza um projeto áspero, seguro que seja capaz de suportar níveis elevados de esforço elétrico e térmico.
  4. Velocidade de comutação rápida: A velocidade de comutação rápida deste transistor assegura-se de que possa responder rapidamente às mudanças nos sinais de entrada, fazendo a ideal para o uso nas aplicações que exigem o interruptor rápido.
  5. Pacote de superfície da montagem: Este transistor é abrigado em um pacote de superfície da montagem, fazendo o fácil integrar em uma variedade de projetos eletrônicos.
  6. Baixa carga da porta: Com uma baixa carga da porta apenas de 27nC, este transistor pode ser conduzido facilmente por uma escala de circuitos de movimentação da porta.
  7. Escala de alta temperatura: O IRFR1018ETRPBF pode operar-se em temperaturas até 175°C, fazendo a apropriada para o uso em ambientes de alta temperatura.
  8. Sem chumbo e RoHS complacentes: Este transistor é sem chumbo e RoHS complacente, fazendo o a favor do meio ambiente e seguro usar-se em uma variedade de aplicações.

 

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