Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Ponto baixo do poder superior do MOSFET de IXTQ130N10T na resistência e baixa tensão do ponto inicial da porta para o desempenho ótimo

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Ponto baixo do poder superior do MOSFET de IXTQ130N10T na resistência e baixa tensão do ponto inicial da porta para o desempenho ótimo

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Number modelo :IXTQ130N10T
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1 - 3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
Tensão :100V
RDS (sobre) :0,01 ohms
Identificação :130A
Pacote :TO-247
MOSFET :N-Channe
Vgs (máximo) :±20V
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Poder superior do MOSFET de IXTQ130N10T

Baixo na resistência e na baixa tensão do ponto inicial da porta para o desempenho ótimo

 

 

Características do produto:


- MOSFET do N-canal
- Tensão: 100V
- RDS (sobre): 0,01 ohms
- Identificação: 130A
- Pacote: TO-247

 

Descrição do produto:

 

O IXYS IXTQ130N10T é um MOSFET do N-canal com uma tensão máxima da fonte do dreno de 100V e uma corrente máxima do dreno de 130A. Este dispositivo oferece um baixo RDS (sobre) de 0,01 ohms e é abrigado em um pacote TO-247. É projetado para o uso em várias aplicações tais como o controlo do motor, a gestão do poder, e as outras aplicações da fonte de alimentação.

 

 

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