Descrição do produto:
- MOSFETs de capacidade elevada do N-canal com baixa em-resistência
- Baixa carga da porta e velocidades de comutação rápidas para a densidade melhorada da eficiência e de poder
- (Se sentou) capacidade de alta tensão, alto-atual e baixa-Vce
- Apropriado para uma vasta gama de fonte de alimentação e de aplicações de comutação
- Projeto áspero, seguro e eficaz na redução de custos
- pacote complacente Halogênio-livre e de RoHS
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