Eletrônica de poder do MOSFET
Interruptor da baixa tensão do elevado desempenho SQD50P06-15L-GE3
O SQD 50P06- 15o MOSFET deL-GE 3 é um elevado desempenho, baixa em-resistência, baixa carga da porta, MOSFET da baixa tensão. É apropriado para aplicações de alta frequência, tais como telefones celulares, portáteis, e a eletrônica automotivo. Este dispositivo caracteriza uma baixa em-resistência de 0,06 ohms, de uma tensão de divisão de 15V, e de uma carga da porta de 15nC. Igualmente oferece o desempenho térmico excelente e a baixa resistência da porta. Este dispositivo é RoHS complacente e sem chumbo.
Tipo do pacote: TO-220
Tensão: 50V
Atual: 15A
Polaridade: N-canal
Dissipação de poder: 78W
Tipo do FET: Modo do realce
Montando o tipo: Através do furo
Tempo de elevação: 21ns
Tempo de queda: 17ns
Fabricante: SQD
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