Eletrônica de poder do MOSFET do IRF 3703 PBF
Ponto baixo de alta tensão da eficiência elevada na resistência
O IRF3703PBF é um elevado desempenho, baixa em-resistência, MOSFET do N-canal do retificador internacional. Utiliza a listra planar avançada a mais atrasada e a tecnologia de DMOS para fornecer o RDS melhorado (sobre). Este dispositivo é apropriado para o uso em pedidos de comutação, em particular para o baixo interruptor lateral, onde o interruptor rápido e a baixa movimentação da porta são exigidos.
Características:
• Baixa em-resistência: RDS (sobre) = 0.08Ω
• Listra planar avançada e tecnologia de DMOS
• Baixa movimentação da porta: VGS (th) = 3V
• Interruptor de alta frequência
• Apropriado para baixas aplicações de comutação laterais
• Pb-livre, pacote complacente de RoHS
• Variação da temperatura de funcionamento: -55°C a +150°C
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