IRF1312PBF MOSFET Solução de alto desempenho e alta confiabilidade para eletrônica de potência para suas aplicações
Descrição:Este é um MOSFET de potência avançado projetado para uso em uma ampla variedade de aplicações de comutação.
Parâmetros:
• Tensão da Fonte de Dreno (VDS): 100V
• Corrente de Drenagem Contínua (ID): 12A
• Corrente de Drenagem Pulsada (IDM): 30A
• Resistência da Fonte de Dreno (RDS(ligado)): 0,02ohm
• Tensão da Fonte do Gate (VGS): ±20V
• Dissipação de energia (PD): 40W
• Faixa de temperatura operacional: -55°C a +150°C
• Tipo de montagem: Através do orifício
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