Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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IRFP2907PBF MOSFET de canal N de alto desempenho para aplicações de eletrônica de potência

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IRFP2907PBF MOSFET de canal N de alto desempenho para aplicações de eletrônica de potência

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Number modelo :IRFP2907PBF
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1-3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
Drene à tensão da fonte (Vdss) :75V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :209A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :4.5mOhm @ 125A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :4V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :620 nC @ 10 V
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IRFP2907PBF MOSFET de canal N de alto desempenho para aplicações de eletrônica de potência

MOSFET IRFP2907PBF

Este MOSFET é um MOSFET de canal N de alta potência e baixa tensão com uma tensão dreno-fonte de 100 V e uma corrente dreno de 19 A.Ele tem uma velocidade de comutação rápida e uma baixa tensão de limiar de porta-fonte.Ele também possui boa estabilidade térmica, excelente desempenho de frequência e um pacote robusto.Este MOSFET é adequado para aplicações de alta potência, como comutação de energia, amplificadores de áudio e controle de motores.

Parâmetros:
- Tensão da Fonte de Dreno: 100V
- Corrente de Drenagem: 19A
- Velocidade de comutação: rápida
- Tensão limite da fonte do portão: baixa
- Estabilidade Térmica: Boa
- Desempenho de frequência: excelente
- Pacote: Robusto

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