Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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IRF135S203 MOSFET Saída de alta potência e baixa resistência para desempenho aprimorado

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IRF135S203 MOSFET Saída de alta potência e baixa resistência para desempenho aprimorado

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Number modelo :IRF135S203
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1-3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
Drene à tensão da fonte (Vdss) :135 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :129A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :8.4mOhm @ 77A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :4V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :270 nC @ 10 V
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IRF135S203 MOSFET Saída de alta potência e baixa resistência para desempenho aprimorado

Nome do produto: MOSFET IRF135S203

Descrição do produto:

O IRF135S203 é um MOSFET de alto desempenho projetado para uso em uma ampla variedade de aplicações.Este dispositivo é um transistor do tipo de aprimoramento de canal N com baixa resistência e alta tensão de ruptura.Possui baixa capacitância de porta, baixa tensão de limiar e alta velocidade de comutação.Ele é projetado para uso em fontes de alimentação, controle de motores e outras aplicações de comutação de alta frequência.

Especificações do produto:

Voltagem: 200V

Corrente de Drenagem: 8A

Resistência da Fonte de Dreno: 83mΩ

Tensão limite do portão: 2V

Capacitância Gate-Source: 8.2pF

Faixa de temperatura operacional: -55°C a 150°C

Pacote: TO-220

Fabricante: Infineon Technologies

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