Produto: MOSFET DE IRFH5210TRPBF
Descrição: Este MOSFET é um MOSFET de alta tensão do N-canal que caracteriza o baixo RDS (sobre), o interruptor rápido, e a baixa carga da porta. É projetado suportar de alta tensão, aplicações altamente atuais, e de alta temperatura.
Parâmetros:
- Tensão da Dreno-fonte (VDS): 100V
- Drene a corrente (identificação): 110A
- RDS (sobre): 0,0075 ohms
- Tensão da Porta-fonte (VGS): ±20V
- Carga total da porta (Qg): 17nC
- Capacidade entrada (Ciss): 7400pF@VDS =25V
- Temperatura de funcionamento: -55°C a 150°C
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